基于相变存储器的存储技术研究综述
本文选题：相变存储器 切入点：非易失存储器 出处：《计算机学报》2015年05期
【摘要】：以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战.传统的基于动态随机存储器(DRAM)器件的内存面临工艺尺寸缩小至2Xnm及以下所带来的系统稳定性、数据可靠性等问题;相变存储器(PCM)具有非易失性、存储密度高、功耗低、抗辐射干扰等优点,且读写性能接近DRAM,是未来最有可能取代DRAM的非易失存储器,它为存储系统的研究和设计提供了新的解决方案.文中在归纳相变存储器器件发展和研究现状的基础上,对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析,研究了基于相变存储器的内存技术和外存技术,分析了当前在PCM的寿命、写性能、延迟、功耗等方面所提出的解决方案,指出了现有方案的优势和面临的缺陷,并探讨了未来的研究方向,为该领域在今后的发展提供了一定的参考.
[Abstract]:The data-centric big data technology brings both opportunities and challenges to the computer storage system. The traditional memory based on dynamic random access memory (RAM) device faces the system stability brought by the reduction of process size to 2Xnm and below. Phase change memory (PCM) has the advantages of non-volatile, high storage density, low power consumption, anti-radiation interference and so on, and its reading and writing performance is close to that of DRAM, so it is the most likely non-volatile memory to replace DRAM in the future. It provides a new solution for the research and design of storage system. On the basis of summarizing the development and research status of phase-change memory devices, this paper compares and analyzes the application methods and problems of phase-change memory at system level. The memory technology and external memory technology based on phase change memory are studied. The current solutions in life, write performance, delay and power consumption of PCM are analyzed, and the advantages and disadvantages of the existing solutions are pointed out. The future research direction is discussed, which provides some reference for the future development of this field.
【作者单位】： 华中科技大学武汉光电国家实验室/计算机科学与技术学院;
【基金】：国家“九七三”重点基础研究发展规划项目基金(2011CB302301) 国家自然科学基金(61303046,61173043) 国家杰出青年科学基金(61025008) 中央高校基本科研业务费(HUST:2013TS042)资助~~
【分类号】：TP303;TP333
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，本文编号：1681184
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