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铁电晶体管存储器的读出电路设计

发布时间:2018-04-05 19:03

  本文选题:铁电晶体管 切入点:仿真模型 出处:《压电与声光》2014年02期


【摘要】:通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,可靠性及电路结构大小等方面均有提高。
[Abstract]:By analyzing the electrical characteristics of ferroelectric transistors, a simulation model of ferroelectric transistors is proposed, and a novel readout circuit with a single transistor 1T structure is designed.The simulation results of this model are compared with those of the traditional current amplifying readout circuit with two-transistor 2T structure. The results show that the new type of readout circuit with 1T structure is at the readout speed.Reliability and circuit structure are improved.
【作者单位】: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金】:国家自然科学基金资助项目(61204084)
【分类号】:TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号:1716057

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