OTP存储器位线负载对读出速度的影响

发布时间：2018-04-19 04:28

  本文选题：一次性可编程存储器 + 位线　； 参考：《微电子学》2015年05期

【摘要】：在OTP存储器设计中,随着存储器容量的不断加大,位线负载也相应变大,可能导致读机制失效。为了防止发生读机制失效,需增加灵敏放大器充电时间,但是延长充电时间会影响读取速度。在分析OTP存储器灵敏放大器工作原理的基础上,重点研究了位线负载对读出速度的影响。通过仿真,优化了OTP存储器的读出电路参数。
[Abstract]:In the design of OTP memory, with the increase of memory capacity, the load of bit line becomes larger, which may lead to the failure of reading mechanism.In order to prevent the failure of the reading mechanism, the charge time of the sensitive amplifier should be increased, but the longer the charging time will affect the reading speed.Based on the analysis of the principle of OTP memory sensitive amplifier, the effect of bit line load on readout speed is studied.The readout circuit parameters of OTP memory are optimized by simulation.
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金】：电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助项目(CXJJ200905)
【分类号】：TP333

【参考文献】

相关期刊论文 前3条

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相关硕士学位论文 前1条

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【共引文献】

相关期刊论文 前5条

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本文编号：1771598