一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现

发布时间：2018-04-25 20:57

  本文选题：存储器 + 单粒子翻转　； 参考：《微电子学与计算机》2014年09期

【摘要】：提出了一种基于NIOS II的异步SRAM单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论.
[Abstract]:An asynchronous SRAM single particle effect detection system based on NIOS II is proposed to evaluate the anti-single particle effect ability of SRAM circuits strengthened by radiation. The system can be used for dynamic and static detection of asynchronous SRAM in four working modes. A single particle effect test of an asynchronous SRAM is carried out on a heavy ion accelerator using the system, and the experimental data of five kinds of ions are obtained. After statistical analysis, the single particle turnover threshold, the saturation cross section of single particle flip and the error rate of single particle flip on orbit are obtained, and compared with the same circuit in foreign countries. Finally, the evaluation results are given according to the experimental results.
【作者单位】： 北京微电子技术研究所;
【分类号】：TP333

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本文编号：1802935