面向Nand Flash自适应纠错码方案研究与设计
本文选题:闪存生命周期 + 比特错误率 ; 参考:《计算机工程与设计》2017年06期
【摘要】:为提升面向闪存的纠错码设计方案的灵活性,降低编解码延时,提出一种自适应纠错码方案。建立闪存数据存储等效信道模型,通过信道有效性参数建立比特错误率与纠错码纠错能力间量化评估关系;依据物理块擦除次数及数据存储时间衡量其比特错误率,结合设计者预期的信道有效性与待编码信息组长度,利用信道有效性分析结果,自动为其适配纠错码类型、最大纠错能力及生成多项式系数等参数。以基于物理块分类的纠错码设计方案为例,对比传统纠错码设计方案性能,对比结果表明,自适应纠错码方案在降低编解码时间及冗余度方面具有明显优势。
[Abstract]:In order to improve the flexibility of flash oriented error correction code design and reduce the coding and decoding delay, an adaptive error correction code scheme is proposed. The equivalent channel model of flash memory data storage is established, and the quantization evaluation relationship between bit error rate and error correction ability is established through channel validity parameters, and the bit error rate is measured according to the number of physical block erasures and the time of data storage. Combined with the expected channel validity and the length of the information group to be coded, the channel validity analysis results are used to automatically match the error correction code type, the maximum error correction ability and the generating polynomial coefficients. Taking the design scheme of error-correcting code based on physical block classification as an example, the performance of the traditional error-correcting code design scheme is compared. The results show that the adaptive error-correcting code scheme has obvious advantages in reducing coding and decoding time and redundancy.
【作者单位】: 信息工程大学三院四教;
【分类号】:TP333
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,本文编号:1827246
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