一种适用于自旋磁随机存储器的低压写入电路

发布时间：2018-05-01 16:14

  本文选题：自旋转移力矩磁随机存储器 + 磁隧道结　； 参考：《西安电子科技大学学报》2014年03期

【摘要】：为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33%.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结存储信息的干扰,可有效提高自旋转移力矩磁随机存储器的存储可靠性.利用65nm的磁隧道结器件模型和商用CMOS器件模型进行了电路仿真,仿真结果表明,低电源电压写入电路能有效降低自旋转移力矩磁随机存储器写入功耗,提高其可靠性.
[Abstract]:In order to reduce the write power consumption of spin transfer torque magnetic random access memory, a low power supply voltage writing circuit is proposed. In this circuit, the resistance on the write branch is reduced by the combination of column selection and read / write isolation. The write power supply voltage is reduced from 1.8 V to 1.2 V, and the write power consumption is reduced by nearly 33 parts. At the same time, the circuit reduces the interference of the reading current to the storage information of the magnetic tunnel junction, and can effectively improve the memory reliability of the spin transfer torque magnetic random access memory. The simulation results show that the low power supply voltage writing circuit can effectively reduce the power consumption of spin transfer torque magnetic random access memory and improve its reliability.
【作者单位】： 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;巴黎第十一大学;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61204092) 国家重大科技专项资助项目(2012ZX03001018-003) 中央高校基本科研业务费资助项目(K5051225017)
【分类号】：TP333

【共引文献】

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本文编号：1830121