基于激光实验探测32位微处理器的敏感体深度

发布时间：2018-05-01 16:23

  本文选题：微处理器 + 敏感体深度　； 参考：《微电子学与计算机》2015年06期

【摘要】：为了更好地设置不同错误率预估模型的参数以及为抗辐射加固设计提供指导,以微处理器为例,针对敏感体深度这一参数进行了探测.利用脉冲激光局域辐照以及聚焦深度可调的优势对180nm体硅CMOS工艺的32位微处理器的缓存(cache)区域、寄存器堆(regfile)区域以及组合逻辑区域进行了敏感体深度的探测,结果表明,在同一工艺下的不同功能敏感区域内,其敏感体深度基本一致,均为1μm左右.这一方法能够准确、方便、快速地获取器件的敏感参数,为更好地对器件进行错误率预估提供参考.
[Abstract]:In order to better set the parameters of different error rate prediction models and to provide guidance for the design of anti-radiation reinforcement, the sensitive body depth is detected by a microprocessor as an example. Based on the advantages of pulse laser local irradiation and the adjustable focusing depth, the sensitive volume depth of 32 bit microprocessors in 180nm bulk silicon CMOS process, the register stack regfileregion and the combinational logic region are detected. In the same process, the sensitive body depth is about 1 渭 m in different functional sensitive areas. This method can accurately, conveniently and quickly obtain the sensitive parameters of the device, and provide a reference for better error rate prediction of the device.
【作者单位】： 北京微电子技术研究所;
【分类号】：TP332;TN249

【参考文献】

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1 黄建国,韩建伟;脉冲激光诱发单粒子效应的机理[J];中国科学G辑:物理学、力学、天文学;2004年02期

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1 马英起;单粒子效应的脉冲激光试验研究[D];中国科学院研究生院（空间科学与应用研究中心）;2011年

【共引文献】

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2 封国强;马英起;韩建伟;张振龙;黄建国;;运放和光耦的单粒子瞬态脉冲效应(英文)[J];半导体学报;2008年09期

3 宋丽红;魏强;白羽;王志浩;;激光技术在空间环境地面模拟中应用评述[J];光电子技术;2013年02期

4 薛玉雄;田恺;曹洲;杨生胜;马亚莉;;激光模拟单粒子效应设备及试验研究进展综述[J];航天器环境工程;2010年03期

5 韩建伟;封国强;蔡明辉;马英起;上官士鹏;陈睿;张玉靖;;脉冲激光试验在宇航器件和电路系统抗单粒子效应设计中的初步应用[J];航天器环境工程;2011年02期

6 黄建国,韩建伟;脉冲激光模拟单粒子效应的等效LET计算[J];中国科学G辑:物理学、力学、天文学;2004年06期

7 封国强;胡永贵;王健安;黄建国;马英起;韩建伟;张振龙;;运算放大器SET效应的试验研究[J];空间科学学报;2010年02期

8 罗尹虹;郭红霞;陈伟;姚志斌;张凤祁;王园明;;SRAM激光微束单粒子效应实验研究[J];微电子学;2010年03期

9 沈自才;崔云;牛锦超;;激光技术在航天工程中的应用及对策[J];红外与激光工程;2012年10期

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1 马英起;单粒子效应的脉冲激光试验研究[D];中国科学院研究生院（空间科学与应用研究中心）;2011年

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1 上官士鹏;脉冲激光模拟试验数字器件单粒子效应的机理与方法研究[D];中国科学院研究生院（空间科学与应用研究中心）;2011年

2 何益百;辐射效应地面试验技术研究[D];国防科学技术大学;2010年

3 孙国荣;短脉冲激光对半导体Si辐照效应的计算研究[D];哈尔滨工业大学;2009年

4 王振;抗辐射加固SRAM设计与测试[D];国防科学技术大学;2010年

5 刘浩源;半导体激光器空间抗辐射的研究[D];长春理工大学;2012年

6 张伟;脉冲激光模拟半导体分立器件单粒子效应的实验研究[D];哈尔滨工业大学;2013年

7 魏志超;InP HBT器件单粒子效应研究[D];西安电子科技大学;2014年

【二级参考文献】

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2 韩建伟;张振龙;封国强;马英起;;单粒子锁定极端敏感器件的试验及对我国航天安全的警示[J];航天器环境工程;2008年03期

3 韩建伟;张振龙;封国强;马英起;;利用脉冲激光开展的卫星用器件和电路单粒子效应试验[J];航天器环境工程;2009年02期

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5 薛玉雄;田恺;曹洲;杨生胜;马亚莉;;激光模拟单粒子效应设备及试验研究进展综述[J];航天器环境工程;2010年03期

6 黄建国,韩建伟;脉冲激光诱发单粒子效应的机理[J];中国科学G辑:物理学、力学、天文学;2004年02期

7 黄建国,韩建伟;脉冲激光模拟单粒子效应的等效LET计算[J];中国科学G辑:物理学、力学、天文学;2004年06期

8 王丽君;空间电子学的单粒子效应[J];空间电子技术;1998年04期

9 封国强;胡永贵;王健安;黄建国;马英起;韩建伟;张振龙;;运算放大器SET效应的试验研究[J];空间科学学报;2010年02期

10 王明刚,宋钦岐;脉冲激光器的瞬时辐照效应模拟[J];微电子学;1988年06期

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本文编号：1830169