采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计

发布时间：2018-05-14 15:30

  本文选题：静态随机存储器(SRAM) + 低功耗　； 参考：《高技术通讯》2014年02期

【摘要】：给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(highV_(th))器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。
[Abstract]:A low power consumption static random access memory ( SRAM ) is designed to reduce leakage current and dynamic power consumption at the same time .

【作者单位】： 苏州大学城市轨道交通学院;苏州秉亮科技有限公司;
【基金】：国家自然科学基金(61272105,61076102)资助项目
【分类号】：TP333

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本文编号：1888464