EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

发布时间：2018-06-18 00:48

  本文选题：浮栅器件 + EEPROM　； 参考：《原子能科学技术》2014年S1期

【摘要】：对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。
[Abstract]:In this paper, three kinds of EEPROM with different capacities have been studied. The instantaneous dose rate effect of "strong light 1" has been studied. The latch characteristics of dose rate, the data retention ability and the circuit function under high dose rate irradiation have been measured. Before irradiation, the full address of EEPROM is written at 55H by the programmer, and the power current after irradiation is measured by adding electricity. After irradiation, the stored data and read and write functions of EEPROM are measured by the programmer. The results show that under instantaneous irradiation, the weight EEPROM mainly exhibits the dose rate latch effect of peripheral circuits, and the stored data of three circuits under high dose rate irradiation of 1.0 脳 109 Gy / s keeps intact and does not change, and the memory is erased. Programming and readout function is normal. The latch threshold of three EEPROM circuits is given and the characteristics of instantaneous dose-rate effect of EEPROM are analyzed.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
【基金】：装备预先研究项目资助
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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3 贺朝会,耿斌,陈晓华,王燕萍,彭宏论;浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究[J];核电子学与探测技术;2002年04期

4 王晓强,谢二庆,钱秉中,贺德衍,朱智勇,金运范;离子辐照对聚苯乙烯低温导电特性的影响[J];物理学报;2002年05期

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6 贺朝会,耿斌,王燕萍,杨海亮,张正选,陈晓华,李国政,路秀琴,符长波,赵葵,郭继宇,张新;静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究[J];核电子学与探测技术;2002年02期

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本文编号：2033220