基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统

发布时间：2018-07-09 15:59

  本文选题：相变存储器 + set　； 参考：《半导体光电》2014年01期

【摘要】：相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专门针对相变存储器的电流脉冲测试系统,该系统可以提供准确可控的电流脉冲来对相变存储器器件单元进行操作。
[Abstract]:The test of phase change memory cell mainly includes setreset and read operation. At present, the method of applying voltage pulse is used to perform reset operation on phase change memory cell at home and abroad, which is not only easy to cause damage to the device. Moreover, it is very difficult to calculate the transient current accurately in the process of phase transition. Different from conventional testing methods, this paper presents a current pulse testing system for phase change memory, which can provide accurate and controllable current pulses to operate phase change memory devices.
【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家“973”计划项目(2011CB9328004,2010CB934300,2011CBA00607) 国家集成电路重大专项项目(2009ZX02023-003) 国家自然科学基金项目(60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001) 上海市科委项目(11DZ2261000,1052nm07000,11QA1407800) 中国科学院资助项目(20110490761)
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2109881