星载计算机SRAM抗单粒子多位翻转技术

发布时间：2018-08-16 20:04

【摘要】：为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提出一种能同时纠正多比特位翻转的技术,称为数据交错技术。参照版图交错法的原理,在FPGA的软件设计等级实现数据的交错存储,将单粒子的多位翻转分离后,分别通过EDAC模块纠正。仿真结果表明,该数据交错技术与(12,8)汉明码及(21,16)汉明码结合后,可将传统EDAC模块对单粒子引起的两位及三位翻转的纠错率从53.69%及28.91%提升至99.82%,以较低代价,实现了MBU大部分翻转形式的纠正。
[Abstract]:In order to improve the error correction rate of the traditional (error detection and correction / EDACs module for single-particle multi-bit flipping (multiple bit upups MBU in spaceborne SRAM, a technique that can correct multi-bit flipping simultaneously is proposed, which is called data interleaving technique. According to the principle of the layout interleaving method, the data is stored interlaced at the software design level of FPGA. After the multi-bit flipping of single particle is separated, the data is corrected by the EDAC module. The simulation results show that by combining the data interleaving technique with (128) hamming code and (21 / 16) hamming code, the error correction rate of the traditional EDAC module for single particle flip can be increased from 53.69% and 28.91% to 99.82%, at a lower cost. The correction of most flip forms of MBU is realized.
【作者单位】： 中国航天科工集团第二研究院706所;
【基金】：***国家863计划课题(编号2014AA********)
【分类号】：V446;TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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相关博士学位论文 前1条

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【二级参考文献】

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【相似文献】

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本文编号：2187040