EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较

发布时间：2018-09-01 17:49

【摘要】：对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。
[Abstract]:In this paper, the instantaneous dose-rate experiment of "strong light 1" is carried out on a 256-kb EEPROM circuit AT28C256 and a 256-kb SRAM circuit HM62256, and the latch effect of the memory is measured. The flip threshold of HM62256 is 9.0 脳 10 ~ 6 Gy (Si) / s, the latch threshold is higher than 5.4 脳 10 ~ 7 Gy (Si) / s, the latch threshold of AT28C256 is 2 脳 10 ~ 7 Gy (Si) / s, and the memory cell turnover threshold is higher than 3.0 脳 10 ~ 8 Gy (Si) / s. For SRAM, the latch threshold is much lower than the latch threshold, and for EEPROM, under transient irradiation, the latch threshold is much lower than the memory cell flip threshold. Based on the data storage principle of two kinds of memory, the reason of the difference of instantaneous dose rate effect between SRAM and EEPROM is analyzed.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
【分类号】：TP333

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