大容量同步双端口SRAM的仿真方法

发布时间：2018-09-02 09:09

【摘要】：根据大容量同步双端口SRAM(静态随机存储器)功能多、时序严格、存储单元数目巨大的特点,提出了一套用于功能复杂的大容量SRAM仿真验证的激励生成和后仿真验证方法。该方法不仅克服了Hsim仿真激励文件编写耗时、不易修改的缺点,而且解决了大容量双端口SRAM后仿真速度缓慢、占用大量硬件资源的问题,在很大程度上缩短了设计周期,保证了投片成功。芯片采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,实测结果验证了该仿真方法是准确有效的。
[Abstract]:According to the characteristics of large capacity synchronous dual-port SRAM (static random access memory), which has many functions, strict timing and large number of memory cells, a set of excitation generation and post-simulation verification methods are proposed for the simulation verification of large capacity SRAM with complex functions. This method not only overcomes the disadvantages of time-consuming and difficult to modify the Hsim simulation excitation file, but also solves the problem of slow simulation speed and large amount of hardware resources after the large capacity dual-port SRAM, which greatly shortens the design cycle. Ensure the success of the cast. The chip adopts SMIC 0.13 渭 m CMOS process. The measured results show that the simulation method is accurate and effective.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第58研究所;
【分类号】：TP333

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本文编号：2218901