铁电存储单元单粒子效应的仿真与研究

发布时间：2018-09-07 16:04

【摘要】：运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁电电容翻转是由瞬态电流脉冲产生的单位面积电荷量决定,最后解释了翻转的原因。
[Abstract]:The effect of single particle transient pulse effect on the memory characteristics of ferroelectric memory cell is studied by circuit simulation. Combined with the effect of single particle on MOS device, the effect of single particle on memory cell is simulated and analyzed with current. The simulation results show that the higher the pulse current peak and the longer the time, the easier to flip the ferroelectric memory cell. It is concluded that the flipping of ferroelectric capacitance is determined by the charge per unit area generated by the transient current pulse, and the reason of the flip is explained at last.
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【分类号】：TP333

【共引文献】

相关期刊论文 前1条

1 石伟丽;邢志国;王海斗;李国禄;张建军;;压电陶瓷研究进展及在喷涂方面的应用[J];润滑与密封;2014年05期

相关博士学位论文 前5条

1 李子威;多铁异质结薄膜的磁电耦合效应与电阻转变特性研究[D];南京大学;2012年

2 张伟;钙钛矿型铁电薄膜异质结构的取向生长及性能研究[D];山东大学;2014年

3 陈相仲;多功能铁电共聚物微结构的调控及其电性能的调制[D];南京大学;2013年

4 朱丽萍;钙钛矿型多铁体LuFeO_3材料合成及性质研究[D];华东师范大学;2014年

5 陈志辉;铁电薄膜制备及新型铁电存储器研究[D];复旦大学;2013年

相关硕士学位论文 前7条

1 朱明敏;KNN基无铅铁电薄膜及纳米管的PLD制备与性能研究[D];湖北大学;2013年

2 朱汉飞;钛酸铋钠钾无铅铁电薄膜织构调控及电性能研究[D];哈尔滨理工大学;2013年

3 郭昌澎;锆钛酸钡薄膜电学性能研究与钴铬掺杂改性[D];西北大学;2013年

4 彭超;组合化学法制备组成梯度PZT铁电薄膜及性能研究[D];中国地质大学;2013年

5 张慧;不同氧化插层对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响[D];山东师范大学;2014年

6 沈真;BiFeO_3/γ-Fe_2O_3颗粒膜的光电性能研究[D];西南大学;2014年

7 赵洋;BNT基无铅压电薄膜的制备与性能研究[D];黑龙江大学;2014年

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 HORST H.BERGER ,ROBERT SCHNADT ,SIEGFRIED K WIEDMANN ,彭忠良;在一低功耗存储单元中写电流控制与自供电[J];电子计算机动态;1974年01期

2 孙巾杰;缪向水;程晓敏;鄢俊兵;;非对称结构相变存储单元的三维模拟与分析[J];计算机与数字工程;2011年05期

3 科兵;;双功能存储单元[J];半导体情报;1972年01期

4 ;英飞凌打造业界最小的非易失闪存单元[J];电子设计应用;2005年01期

5 ;结合和定义[J];电子计算机动态;1980年01期

6 焦道海;西门子公司大力发展4M DRAM片生产[J];稀有金属;1988年02期

7 大石基之;林咏;;大容量闪存正加速开发 64G技术及新单元叠层方法出台[J];电子设计应用;2007年09期

8 章凌宇;贾宇明;李磊;胡明浩;;基于DICE结构的抗辐射SRAM设计[J];微电子学;2011年01期

9 方云飞;王宏琳;;电子计算机数据处理入门[J];石油地球物理勘探;1980年S2期

10 周天;新品快递[J];世界电子元器件;2000年10期

相关重要报纸文章 前9条

1 本报记者 张玉蕾;ABB节能增效的最佳实践[N];中国电力报;2012年

2 吴宵;新型磁随机原理型器件问世[N];中国质量报;2007年

3 本报驻韩国记者 薛严;以3D视角审视闪存革命[N];科技日报;2013年

4 记者 刘霞;新型光子存储器或可打破网速瓶颈[N];科技日报;2012年

5 本报记者 冯卫东;未来的U盘纳米造[N];科技日报;2007年

6 西安 bingeer;给网卡换张“身份证”[N];电脑报;2001年

7 林宗辉;嵌入式系统缓存的设计与发展[N];电子资讯时报;2007年

8 本报记者 向阳;云计算和大数据导演社会变革大戏[N];科技日报;2013年

9 记者 桂运安;全球首个高维量子存储器“科大造”[N];安徽日报;2013年

相关博士学位论文 前2条

1 顾明;嵌入式SRAM性能模型与优化[D];东南大学;2006年

2 刘奇斌;相变存储单元热模拟及其CMP关键技术研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年

相关硕士学位论文 前10条

1 徐永康;相变存储单元的仿真研究[D];华中科技大学;2013年

2 谢子健;相变存储单元多值存储的仿真研究[D];华中科技大学;2012年

3 胡婷婷;抗内部存储单元失效的32位微处理器的研究与实现[D];华中科技大学;2011年

4 倪含;T型自由层自旋力矩转移磁隧道结结构的设计与模拟计算[D];华中科技大学;2013年

5 杨X;近阈值低功耗SRAM研究设计[D];上海交通大学;2011年

6 宋凯;氧化锌基阻变器件的构建及其开关特性研究[D];天津理工大学;2012年

7 杨清宝;嵌入式SRAM的高速、低功耗设计及优化[D];西安电子科技大学;2007年

8 张金峰;亚65纳米SRAM的稳定性研究与设计[D];苏州大学;2008年

9 赵乐;深亚微米SRAM存储单元稳定性研究[D];苏州大学;2011年

10 吕百涛;SRAM PVT补偿方法研究及电路实现[D];安徽大学;2012年

，

本文编号：2228737