90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理

发布时间：2018-09-09 14:12

【摘要】：基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒子翻转效应位图.实验发现,器件出现了大量的多位翻转和约20 mA的电源电流脉冲.借助器件仿真工具,揭示了器件发生单粒子多位翻转效应的原因.结果表明,器件局部阵列发生单粒子闩锁效应并传播到多个位单元是诱发多位翻转的主要原因.通过对比分析脉冲激光和器件仿真实验结果,发现P/N阱电势塌陷是导致90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器出现单粒子闩锁传播效应的内在物理机制.
[Abstract]:Based on the single event effect pulsed laser experimental facility, the single event flip and latch-up effect experiments of 90 nm complementary metal oxide semiconductor static random access memory are carried out, and the single event flip effect bitmap of the device is given. The results show that the single event latch-up effect in the local array of the device and its propagation to multiple bit cells are the main causes of the multi-bit flip. The intrinsic mechanism of the single particle latch propagation effect in semiconductor semiconductor static random access memory.
【作者单位】： 中国科学院国家空间科学中心;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:41304148) 中国科学院知识创新工程青年基金(批准号:O82111A17S)资助的课题~~
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2232618