多值忆阻器的写入方式研究

发布时间：2018-10-11 07:21

【摘要】：通过改变忆阻器在SET过程中的限制电流或在RESET过程中的电压边界,是实现多值存储的常用方法.而针对某一种方法,又存在多种不同的写入方式.针对在SET过程中通过改变限制电流大小而实现多值的方法,提出了两种不同的写入方式,为其命名为"先判断后写入"和"先擦除后写入".分别使用两种方式对制备的Au/TiO2/Au器件测试发现,"先判断后写入"的方式由于减小了操作过程中的RESET次数而比"先擦除后写入"的方式具有更明显的阻值窗口和更好的低阻值的均一性.
[Abstract]:It is a common method to realize multi-value storage by changing the limiting current in SET process or the voltage boundary in RESET process. For a certain method, there are many different writing methods. Aiming at the method of realizing multi-value in SET by changing the limiting current size, two different writing methods are proposed, which are called "first judge then write" and "erasure and then write". Testing the fabricated Au/TiO2/Au devices in two ways, it was found that the "first judge then write" method has more obvious resistive window and better than the "erasure and write" method because it reduces the number of RESET in the operation process. The homogeneity of the low resistance value of.
【作者单位】： 国防科学技术大学计算机学院;高性能计算国家重点实验室(国防科学技术大学);
【基金】：国家自然科学基金项目(61332003)
【分类号】：TP333

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本文编号：2263334