基于蒙特卡洛方法的钛氧化物忆阻器辐射损伤研究

发布时间：2018-12-15 05:00

【摘要】：纳米钛氧化物忆阻器有望成为新一代阻性存储器基本单元并应用于辐射环境中的航天器控制及数据存储系统.辐射能量,强度,方向,持续时间等要素发生改变均可能对钛氧化物忆阻器受到的辐射损伤构成影响,然而,目前尚无相关具体研究.基于以蒙特卡洛方法为核心的SRIM仿真,本文针对宇宙射线主体组成部分——质子及α射线定量研究了各个辐射要素与钛氧化物忆阻器辐射损伤的关联,依据器件实测数据研究了辐射要素与导通阻抗,截止阻抗及氧空缺迁移率等忆阻器主要参数的关系,进一步利用SPICE仿真讨论了辐射对杂质漂移与隧道势垒共存特性的影响,从而为评估及降低钛氧化物忆阻器辐射损伤,提高器件应用于辐射环境的可靠性提供依据.
[Abstract]:Nanocrystalline titanium oxide amnesia is expected to become a new generation of resistive memory basic cells and be used in spacecraft control and data storage systems in radiation environment. The change of radiation energy, intensity, direction, duration and so on may affect the radiation damage of titanium oxide memory devices. However, there is no specific research on it. Based on the SRIM simulation with Monte Carlo method as the core, the correlation between the radiation elements and the radiation damage of titanium oxide amnesia is studied quantitatively for protons and 伪 rays, which are the main components of cosmic ray. Based on the measured data of the device, the relationship between the radiation elements and the main parameters such as the on-impedance, cutoff impedance and oxygen vacancy mobility is studied. The influence of radiation on the coexistence of impurity drift and tunnel barrier is further discussed by SPICE simulation. The results provide a basis for evaluating and reducing the radiation damage of titanium oxide resistor and improving the reliability of the device used in radiation environment.
【作者单位】： 国防科学技术大学电子科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61471377,F011801)资助的课题~~
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2380028