65nm工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

发布时间：2019-06-06 00:51

【摘要】：新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划分设计的三维静态存储器和同等规模的二维静态存储器分别进行软错误分析,并对分析结果进行对比。研究结果表明二维和三维静态存储器的翻转截面几乎相同,但三维静态存储器单个字中发生的软错误要比二维静态存储器更严重,导致难以使用纠检错技术对其进行加固。静态模式下二维和三维静态存储器敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。
[Abstract]:The new 3D static memory will be widely used in high performance microprocessors instead of 2D static memory, but it will still be damaged by soft errors. In order to analyze the soft error characteristics of 3D static memory with multi-layer core stack structure quickly and automatically, a soft error analysis platform for 3D static memory is built. The platform is used to analyze the soft errors of the three-dimensional static memory designed by word line partition and the two-dimensional static memory of the same size, and the analysis results are compared. The results show that the flip cross section of 2D and 3D static memory is almost the same, but the soft error in a single word of 3D static memory is more serious than that of 2D static memory, which makes it difficult to reinforce it by error correction technique. The sensitive nodes of two and three dimensional static memory in static mode are distributed in the storage array, which indicates that the logic circuit in static mode does not cause soft errors.
【作者单位】： 国防科技大学计算机学院;国防科技大学并行与分布处理国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61373032,61303069) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20124307110016)
【分类号】：TP333

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本文编号：2493941