Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响

发布时间：2019-07-06 12:16

【摘要】：针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。
[Abstract]:The effect of high temperature aging (Burn-in) on the total dose radiation resistance of SRAM devices before irradiation was studied. Three kinds of SRAM memory with different process sizes were selected. The total dose irradiation experiments of (No Burnin) samples aged at high temperature and not aged at high temperature were carried out by using 60 Co radioactive sources. The data bit flip number of SRAM devices caused by irradiation was measured, and the influence of Burn-in on the total dose effect of SRAM devices with different process sizes was obtained. An experimental study on the influence of different Burn-in temperature on the radiation resistance of 0.25 渭 m SRAM devices has been carried out, and the relationship between the radiation resistance of the devices and the Burn-in temperature has been obtained. The results show that the smaller the process size of SRAM device is, the stronger the anti-total dose ability is, and the less affected by Burn-in, and the higher the temperature at Burn-in, the greater the effect on the anti-total dose level of the device.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
【分类号】：TP333;TN791

【参考文献】

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