混合固态硬盘的磨损均衡算法研究
发布时间:2020-04-22 00:51
【摘要】:鉴于NAND Flash闪存的可擦除次数有限,不均衡的擦除会降低闪存的可靠性,因此,为了延长闪存的使用寿命,设计一个自适应均衡擦除次数的磨损均衡算法至关重要。混合固态硬盘通常由SLC(Single-Level Cell)和MLC(Multi-Level Cell)闪存构成,SLC和MLC闪存之间的冷热数据分配、闪存间的磨损均衡以及闪存内部的磨损均衡是混合固态硬盘闪存转换层设计的关键问题,针对这些问题,本文主要做了以下工作:1)基于SLC和MLC闪存各自的特点,本文设计了一种阈值随当前读写请求大小动态变化的分离器。SLC适合处理小而热的数据,MLC适合处理大而冷的数据,由于热数据会经常的被读写,如果热数据尽可能的部署在SLC闪存,数据整体的响应时间会大大减少。实验表明本文的动态阈值算法能很好地识别冷热数据。2)针对混合固态中SLC内部磨损度不均衡和闪存利用率低的问题,设计了一种利用基于物理页循环队列的方法来管理SLC闪存。本文通过控制循环队列的长度对SLC中的热数据进行管理,从而提高SLC闪存的利用率。通常而言,SLC闪存耐受性比MLC高10倍到20倍的寿命,混合固态硬盘中SLC和MLC闪存之间极易出现磨损度不同步问题,针对这个问题本文设计了一种流量控制器,通过两者的磨损均衡度和数据的实时热度,来对冷热数据进行选择性的重新分配,能有效平衡两者的磨损度和减少闪存间数据的迁移次数。实验结果表明上述方法可以有效提高SLC内部的磨损均衡度、闪存的利用率以及SLC和MLC闪存之间的磨损均衡度。3)鉴于MLC内部磨损均衡的问题,本文提出了基于逻辑页的热度与物理块的热度相结合的静态磨损算法和动态磨损均衡算法。对数据的热度进行了重新定义,算法除了考虑物理页的因素外,还考虑到逻辑页的本身热度以及逻辑页的更新时间间隔。对于冷热物理块的识别,考虑到了闪存介质的物理特性,来解决物理块擦除不均问题(有些块几乎不被擦除,而有些块反复擦除)。实验结果表明该算法能大大的提高MLC闪存内部磨损均衡度,提高闪存的使用寿命。
【图文】:
图2.邋1邋SSD结构图逡逑上图2.邋1是SSD的一个逻辑结构图,多路转发器(Flash邋Demux/Mux)主要功逡逑能是发出指令,处理器不仅需要管理请求流,还要提供逻辑的磁盘地址到物理闪逡逑存地址的转换。处理器,缓冲管理器和多路转发器通常是用独立的器件组成,比逡逑
2.1.2邋NAND闪存的物理结构逡逑闪存存储系统中的闪存介质是由闪存阵列构建[32_3'闪存阵列的基本存储单逡逑元是一种类NMOS的双层浮空栅(Floating邋Gate)邋MOS管组成,如下图2.2所示:逡逑O逡逑Control邋Gate逡逑十+邋-}—邋 ̄hH ̄ ̄hH ̄ ̄h逡逑—^PloiShg^Sate——逡逑干干干干_)_邋_十丨、^^逡逑 ̄^逦P-well(OV)逦^逡逑N-well(OV)逡逑P=substrate(OV)逡逑图2.邋2闪存的物理结构图逡逑存电子的浮动栅(Floating邋Gate)是在源极(Source)和漏极(Drain)之间电流逡逑单向传导的半导体上形成,浮动栅被一层厚厚的硅氧化膜绝缘体包裹着,浮动珊逡逑是在漏极和源极之间控制传导电流的选择/控制栅(Control邋Gate)上面。逡逑写操作是在控制极加正电压,使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好逡逑相反,是在衬底加正电压,,把电子从浮栅极中吸出来。如下图2.3和图2.4所示:逡逑Vpp(Program)逦Erased邋State邋——二——逡逑Programmed邋State邋丫逦逦逡逑\逦'逦:逦p ̄—^逦/,,逡逑逦邋 ̄ ̄邋"ZZ.邋i逡逑个个个t个一逦n逡逑n逦n逡逑P-well逡逑P-wcll逡逑'j逡逑乃如逦Vpp(Erase)逡逑图2.邋2闪存的编程状态逦图2.邋3闪存的擦除状态逡逑9逡逑
【学位授予单位】:湖南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TP333
本文编号:2635937
【图文】:
图2.邋1邋SSD结构图逡逑上图2.邋1是SSD的一个逻辑结构图,多路转发器(Flash邋Demux/Mux)主要功逡逑能是发出指令,处理器不仅需要管理请求流,还要提供逻辑的磁盘地址到物理闪逡逑存地址的转换。处理器,缓冲管理器和多路转发器通常是用独立的器件组成,比逡逑
2.1.2邋NAND闪存的物理结构逡逑闪存存储系统中的闪存介质是由闪存阵列构建[32_3'闪存阵列的基本存储单逡逑元是一种类NMOS的双层浮空栅(Floating邋Gate)邋MOS管组成,如下图2.2所示:逡逑O逡逑Control邋Gate逡逑十+邋-}—邋 ̄hH ̄ ̄hH ̄ ̄h逡逑—^PloiShg^Sate——逡逑干干干干_)_邋_十丨、^^逡逑 ̄^逦P-well(OV)逦^逡逑N-well(OV)逡逑P=substrate(OV)逡逑图2.邋2闪存的物理结构图逡逑存电子的浮动栅(Floating邋Gate)是在源极(Source)和漏极(Drain)之间电流逡逑单向传导的半导体上形成,浮动栅被一层厚厚的硅氧化膜绝缘体包裹着,浮动珊逡逑是在漏极和源极之间控制传导电流的选择/控制栅(Control邋Gate)上面。逡逑写操作是在控制极加正电压,使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好逡逑相反,是在衬底加正电压,,把电子从浮栅极中吸出来。如下图2.3和图2.4所示:逡逑Vpp(Program)逦Erased邋State邋——二——逡逑Programmed邋State邋丫逦逦逡逑\逦'逦:逦p ̄—^逦/,,逡逑逦邋 ̄ ̄邋"ZZ.邋i逡逑个个个t个一逦n逡逑n逦n逡逑P-well逡逑P-wcll逡逑'j逡逑乃如逦Vpp(Erase)逡逑图2.邋2闪存的编程状态逦图2.邋3闪存的擦除状态逡逑9逡逑
【学位授予单位】:湖南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TP333
【参考文献】
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本文编号:2635937
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