基于ARM技术的Langmuir探针系统开发
【图文】:
图3.2Flash存储器接口电路Fig.3.2FlashmemoryinterfaeebetweenSST39VF160andS3C44BOX大端存储格式格式中,字数据的高字节存储在低地址中,而字数据的低字节则如图3.3所示。高地址位3124231615870字地址节节字字节节字字节节字字节节字字)字数据30238字数据20234低地址字数据1字节0字节1字节2字节30图3.3以大端格式存储字数据
统的上电复位和系统在运行时用户的按键复位功能,复位电路可由简单的RC延时电路构成,也可以使用功能更完善的专用芯片完成。本系统采用较简单的RC复位电路,复位电路如图3.7所示。复位电路的工作原理如下:在系统上电时,通过电阻R向电容C充电,当电容C两端的电压未达到高电平的门限电压时,Reset端输出为低电平,系统处于复位状态;当C两端的电压达到高电平的门限电压时,,Reset端输出为高电平,系统进入正常工作状态。当用户按下按钮S时,C两端的电荷被泄放掉
【学位授予单位】:东北大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:TP368.12;O539
【参考文献】
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本文编号:2694883
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