基于CPF的65纳米高性能处理器平台的低功耗物理设计
【学位授予单位】:上海交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:TP332
【图文】:
这部分的比重会越来越大,在上一章的图 1 中,非常形象的描绘了漏电流增加流 I leakage 主要分为四部分,如图 3 所示,I1 是 CMOS 晶体管中源衬底之间的反向偏置电流,I2 是 CMOS 晶体管中源和漏极之间的载流子扩散形成的亚阈值电流极注入源漏极的漏电流,I4 是由于门极氧化物泄漏导致的漏电流。无论器件是否,只要有电源供电,器件的漏电流将一直保持存在。
而言异步逻辑消耗较少的功耗。一般的门控时钟技术,现在的综合工具都提供了支持,它们可以在一个模块内靠近时钟页点位置自动插入门控时钟单元,假设整个模块处于工作模式,也可以有效降低内部部分闲置寄存器可以关闭时钟减少功耗。图 4 告诉当 test 和 enable 都为 0 的时候,ck_out 的输出也为这样后面接的触发器不会翻转,省下了这些触发器翻转消耗的动态功耗。
图 5 层次化门控时钟示意图CG 就代表了门口时钟单元(Clock Gating Cell),而这些门口时钟单使能 Clock_En1 或者 Clock_En2 来控制不同时钟域(Clock Doma口由模块的使能信号 Module_En1 至 Module_En10 来控制十个模需要在 RTL 代码中体现出来。
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