亚65纳米SRAM的稳定性研究与设计

发布时间：2020-12-07 01:53

　　SRAM是计算机系统中的必不可少的组成部分,它扮演着直接与CPU对话的重要角色。尺寸不断缩小的COMS工艺技术有利于提高SRAM性能,减小面积,降低功耗。与此同时,由先进工艺技术带来的阈值电压波动和工作电压降低影响了SRAM的稳定性,尤其进入65纳米后,SRAM稳定性面临的挑战更加严峻。先进工艺下的SRAM稳定性引起了包括Intel,Renesas,MIT等知名IC设计制造公司和科研院的极大关注。本论文研究分析了CMOS工艺和对SRAM稳定性的影响,提出了一种基于直流分压思想的稳定性提高技术,该技术通过降低读周期内的字线电压提高读稳定性,降低写周期内的单元电压提高写稳定性。与目前业界现有稳定性提高技术相比,本论文所提技术有以下特点:①字线电压和存储单元电压调节采用可编程的方法,利于控制精确稳定性;②电路实现简单,易于集成到SRAM;③利用SRAM固有时序,无需额外时序控制;④版图面积开销小。本文所提技术用于65纳米工艺SRAM设计。SRAM含有8K个位单元,存储深度为256,每个存储单元32位,其中字线64根,位线128根,单元面积为0.625um2,稳定性提高电路的面积占总面积的比例... 

【文章来源】：苏州大学江苏省

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

SNM仿真电路

图 4-14 写辅助电路的 3 个晶体管版图拉管的版图，水平线是金属 1 和金属 3，金属 1 用于晶体管间互连，金属线 WL，上图给出了两个字线，WL[0]和 WL[1]，本设计中 SRAM 共有 6每次读写操作只有一根线高有效。金属 2 是垂直线，可以看到 P[0],P[1],P[属 2。为了完成下拉能力的精确匹配，三个下拉管采用手指型画法，它们沟同，宽度之比为 1:2:4。增加下拉管是为了降低字线电压，当下拉管也受到工艺参数变化影响怎么中，采用匹配的办法，可以消除全局参数变化的影响。3 个下拉管的位置放单元中传输管放置相同，都水平放，且晶体管长度相同。图 4-15 是一个存版图。

图 4-14 写辅助电路的 3 个晶体管版图版图，水平线是金属 1 和金属 3，金属 1 用于晶体管间互上图给出了两个字线，WL[0]和 WL[1]，本设计中 SRAM操作只有一根线高有效。金属 2 是垂直线，可以看到 P[0了完成下拉能力的精确匹配，三个下拉管采用手指型画法之比为 1:2:4。管是为了降低字线电压，当下拉管也受到工艺参数变化匹配的办法，可以消除全局参数变化的影响。3 个下拉管输管放置相同，都水平放，且晶体管长度相同。图 4-15

【参考文献】：
期刊论文
[1]超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究[J]. 屠睿,刘丽蓓,李晴,邵丙铣.  微电子学与计算机. 2006(04)



本文编号：2902403