大容量静态随机访问存储器的低功耗研究

发布时间：2020-12-07 02:56

　　近年来,半导体存储器应用领域不断扩展,移动通讯、移动多媒体及移动存储市场急剧扩大,半导体市场中存储器所占份额则呈平稳增长趋势。存储器家族庞大,静态随机访问存储器SRAM即是其中的一员。目前针对不同的应用市场,SRAM的产品技术也有了两个明确的发展方向,一个是向高性能通信网络所需的高速器件发展,另一个是向低功耗性能发展,以适应便携式设备以及SOC系统的需要。优化SRAM功耗,除了可以直接大幅地降低系统功耗,解决散热问题,延长电池的使用寿命,还可以显著降低成本,最重要的是能够节约能源,真正的做到“绿色科技”。本文的研究重点是大容量静态随机访问存储器的低功耗设计,并在此基础上设计一款1Mx8的SRAM。该存储器可以实现正确的读写功能,并且典型的平均功耗为1.59W,较改进前降低了约22%,其它设计参数也都达到了预期的目标。本文的研究思路如下：第一章概述论文的研究背景及意义,并介绍了低功耗SRAM的研究现状以及低功耗设计的重要意义。第二章主要介绍SRAM的基本知识以及低功耗设计相关理论,并从SRAM可靠性的角度引入了静态噪声容限的概念,最后介绍了目前几种比较流行的低功耗设计技术。第三章针对各个... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：71 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

读操作简化电路图

噪声容限是对噪声程度的一种度量，表示多大的噪声会使最坏输出电压被破坏成为不可识别的输入值，其定义包括两部分，一个是高电平噪声容限NMH，另一个则是低电平噪声容限NML，图2一8即为CMOS器件的逻辑电平以及噪声容限表

电子科技大学硕士学位论文图2一10静态噪声等效电路如图2一9所示，假设Q==l，Qes于0，并且在进行读操作之前互补位线BL及B几已经通过列上拉电路预充至电源电压VDD，正如上文所描述的，当WL被选中时，两个NMoS传输管MS和M6导通，又因为Q=1，Qes于o


本文编号：2902487