InAs/GaAs自组织量子点存储器件研究

发布时间：2020-12-07 23:31

　　近年来，利用Stranski-Krastanow方式（简称S-K方式）自组织生长的量子点越来越受到人们的关注。基于这种量子点的半导体器件既有非常广阔的应用前景又具有很大的理论研究意义。通过研究量子点器件的工作原理，可以得到有关量子点能级的详细信息。 本文报道的基于pHEMT结构的InAs／GaAs量子点存储器，既能在室温下工作，又可以只用栅极电压来控制其存储状态，具有十分重要的应用前景。我们在室温下对InAs／GaAs量子点存储器进行了延滞回线、沟道电导实时测试、偏压降温C-V特性等测试。 本文首先概述了量子点的基本概念、主要性质、制备方法和器件应用，以及量子点存储器的结构与工作原理。我们共制备了四种不同结构的InAs／GaAs量子点材料，并分别加工成器件，用于实验测试。利用FET与I-V特性测试来判断器件加工工艺是否符合要求，并判别器件性能的优劣，选取所需的器件进行后续的测试；延滞回线测试表明器件具有明显的延滞特征，也就说明了该器件在不同栅压条件下能够形成两种不同的状态，因此具有存储效应；利用沟道电导实时测试不仅可以得出器件工作的原理，还可以测得相应的存储保持时间，其中V... 

【文章来源】：山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：65 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

一K生长方式示意图

基本H五MT结构不怠图

图110刘允drli招turmentsVGSe而conV90HMBE分子束外延技术是在二十世纪七十年代由美国新泽西州贝尔实验室的卓以和博士发明的一种晶体生长技术，它使科研和工程人员能够在次纳米层次及其精确地制造复合半导体装置〔79]。该技术除了可以生长原子级精度的同质结构，还可以生长如量子阱、超晶格、量子线及量子点等多种多样的异质结构。下面本文将介绍分子束外延系统的结构及反射高能电子衍射仪(RefiectinoHihgEne卿ElectornDi价action，简称RH五ED)的工作原理。1.分子束外延(MBE)系统分子束外延(MoleeularBeamEpitxay，简称MBE)1801一{551技术本质上是在超高真空条件下，对蒸发束源和外延衬底温度加以精确控制的薄膜蒸发技术。该技术可以在原子尺度上精确控制外延厚度、掺杂和界面平整度。它是在20世纪50年代发展起来的真空沉积111一V族化合物的三温度法，以及1968年

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：2904071