改进的偏向写调度的混合内存缓冲区调度策略

发布时间：2020-12-24 07:30

　　提出一种新的相变存储器(PCM)和DRAM混合内存偏向写调度缓冲区页面调度策略(FWLRU)。该策略根据PCM和DRAM在读上区别不大,所以只进行"写"热页调度进入DRAM,而不专门进行"读"热页的调度,同时在PCM和DRAM的页面置换时,不淘汰页面,采取互换的原则,以增加页面的命中率和减少PCM的写。实验结果表明,该策略能有效提高页面的命中率和减少PCM的写。 

【文章来源】：湖南工业大学学报. 2020年04期

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

PCM写热页与DRAM中DR队列尾部页面互换

将FWLRU混合内存缓冲区调度策略和LRU、LRU-WPAM、CLOCK-DWF在模拟器上进行了页面命中率检测。图2给出了5组测试数据集在内存页面逐渐增大的情况下,4种不同的缓冲区调度下页面未命中的数量。图2 不同调度策略下的命中率实验结果

不同调度策略下的命中率实验结果


本文编号：2935247