等级调制码的构造方法研究

发布时间：2020-12-29 01:10

　　随着NAND闪存芯片存储密度的提高,数据存储的可靠性已经成为大容量闪速存储系统研究及应用面临的重要问题。等级调制方案利用单元间电荷值的相对等级所形成的置换而不是单元电荷绝对值来表示数据,可以避免闪存单元的过度编程问题,并且降低闪存中非对称错误的影响。基于等级调制方案的置换码（Permutation code）和多重置换码（Multi-Permutation code）能够缓解闪存的过度编程和电荷泄露等问题。因此,等级调制纠错码的构造及其相关译码方法的研究近年来受到了学者们的广泛关注。本文对基于等级调制方案的置换码和多重置换的构造方法进行了深入的研究,主要研究成果概括如下:1.闪存单元发生的“强度有限错误”可以利用切比雪夫距离度量来描述。针对切比雪夫距离度量下可以纠正“强度有限错误”的（7）k（10）n,k!,d（8）系统置换码缺乏编译码方法的问题,通过利用置换的ranking映射和切比雪夫距离度量下（n,M,d）置换码的交织技术,提出了该系统置换码的一种编码方法。同时,借助置换的unranking映射和切比雪夫距离度量下（n,M,d）置换码中置换投影技术,提出了该系统置换码的一种译码方... 

【文章来源】：西安电子科技大学陕西省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：100 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

闪存单元的基本结构

存中的问题存单元技术的应用，闪存的存储密度得到了较大的提高，题（Overshooting）:由于闪存在写数据和擦除数据时具有不编入较多电荷时会发生编程错误。为了纠正这个编程错误块全部擦除并重新编程，这就是过度编程问题。过度编程性能。为了防止过度编程问题的出现，对闪存单元的编程单元进行编程是不是一次到位的进行充电，而是一点一点完成置换都需要进行感知然后与阈值电压进行比较。如果之间，则编程完成，否则要么继续进行电荷的加入，要么程称为迭代单元编程。尽管这种机制也降低了闪存的使用编程的问题。题（Charge Leakage）：由于多级闪存单元技术的使用，阈


本文编号：2944709