65nm闪存基准电压调整算法的应用和改进
发布时间：2021-01-10 15:03
本论文结合Intel上海科技有限公司65nm NOR型闪存的开发项目,在深入了解闪存基准电压调整算法的基础上,将此理论算法应用于65nm NOR型闪存,并根据测试中遇到的问题作了一定的改进。芯片中的基准电压是指在电路中用作电压基准的高稳定度的电压源,它也是闪存芯片中不可缺少的电路模块,是闪存实现各种操作的基础,例如读写操作都需要在存储单元的栅极或漏极加上固定大小的电压。随着工艺水平的不断提高,芯片内部的特性有所不同,并且对基准电压的精度要求也越来越高,所以原有的基准电压调整算法就不能适用于65nm的闪存。这就要求在原有算法的基础上根据新工艺的一些特性进行一定的创新和改进。本文从NOR型闪存最基本的写入机制入手,详细研究原有算法的每一个步骤,掌握原有算法的关键所在,然后通过大量的实验数据得到与65nm工艺相关的一些特性指标,如写入特性曲线的斜率等,根据这些新的特性参数对算法进行调整,使其能适用于65nm的工艺水平。一个好的算法必须要能通过大规模量产的检验,即要满足量产的一些要求,如测试良品率至少要控制在99%以上。本文根据大规模测试中发生的问题,对大量的测试数据进行分析,找到问题的共性所...
【文章来源】：复旦大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：45 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
Flash存储单元结构示意图
就得到8个线性函数表达式。图4一1为一组合格裸片的测试结果，4条特性曲线的函数表达式为:y二1318.sx+4916.7(Veo=SV) y=1347.6x+3984.5(VeG=4V)y=1254.9x+3103.4(Veo=3V) y=986.5lx+2436.1(Veo=ZV)由此可得合格裸片特性曲线斜率的中位数为 1286mV/decede。值得注意的一个现象是，特性曲线的斜率并非如第3章中假设的那样不随VcG的变化而变化，而是随着VcG的增加相应的有小幅增加。合合合合合合合合合合合格裸片的特性曲线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线 线。。 _______.一_:…万念{{一下 ____ 7777一‘一，一~，份一，而分一一于-一一一钾一一一丁‘一一一争‘二份声一’ {一 一八八6000}一共一高一偏一一一一拼斗七乡奋扮畔牛一，，一一，一任二洲一一“一一一一一一一一一一一一 一 >>>{叮二户一尸尸丫一一_曰~。，八加，二八一 一 一匕匕匕5000与奋碑竺二‘一-‘一-一七户户碑叮石一一一一一一高尸二奋户一
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【参考文献】：
期刊论文
[1]Flash Memory测试技术发展[J]. 郭桂良,朱思奇,阎跃鹏. 电子器件. 2008(04)
[2]适用于Flash Memory的负高压泵的实现[J]. 周钦,钱松,程君侠. 微电子学与计算机. 2007(01)
[3]衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响[J]. 石凯,许铭真,谭长华. 半导体学报. 2006(06)
[4]低功耗高速擦写Flash Memory的研究[J]. 吕家云,蒋全胜. 合肥工业大学学报(自然科学版). 2006(05)
[5]嵌入式Flash Memory Cell技术[J]. 封晴. 电子与封装. 2004(04)
[6]超大容量Flash Memory的应用与开发[J]. 刘瑰,李万顺,朱鸿宇. 微型机与应用. 2003(05)
[7]EEPROM与flash Memory[J]. 于宗光,许居衍,魏同立. 电子器件. 1997(01)
[8]FLASH MEMORY技术[J]. 卢廷勋,李正孝. 微处理机. 1995(03)
本文编号：2968914
【文章来源】：复旦大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：45 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
Flash存储单元结构示意图
就得到8个线性函数表达式。图4一1为一组合格裸片的测试结果，4条特性曲线的函数表达式为:y二1318.sx+4916.7(Veo=SV) y=1347.6x+3984.5(VeG=4V)y=1254.9x+3103.4(Veo=3V) y=986.5lx+2436.1(Veo=ZV)由此可得合格裸片特性曲线斜率的中位数为 1286mV/decede。值得注意的一个现象是，特性曲线的斜率并非如第3章中假设的那样不随VcG的变化而变化，而是随着VcG的增加相应的有小幅增加。合合合合合合合合合合合格裸片的特性曲线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线线 线。。 _______.一_:…万念{{一下 ____ 7777一‘一，一~，份一，而分一一于-一一一钾一一一丁‘一一一争‘二份声一’ {一 一八八6000}一共一高一偏一一一一拼斗七乡奋扮畔牛一，，一一，一任二洲一一“一一一一一一一一一一一一 一 >>>{叮二户一尸尸丫一一_曰~。，八加，二八一 一 一匕匕匕5000与奋碑竺二‘一-‘一-一七户户碑叮石一一一一一一高尸二奋户一
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【参考文献】：
期刊论文
[1]Flash Memory测试技术发展[J]. 郭桂良,朱思奇,阎跃鹏. 电子器件. 2008(04)
[2]适用于Flash Memory的负高压泵的实现[J]. 周钦,钱松,程君侠. 微电子学与计算机. 2007(01)
[3]衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响[J]. 石凯,许铭真,谭长华. 半导体学报. 2006(06)
[4]低功耗高速擦写Flash Memory的研究[J]. 吕家云,蒋全胜. 合肥工业大学学报(自然科学版). 2006(05)
[5]嵌入式Flash Memory Cell技术[J]. 封晴. 电子与封装. 2004(04)
[6]超大容量Flash Memory的应用与开发[J]. 刘瑰,李万顺,朱鸿宇. 微型机与应用. 2003(05)
[7]EEPROM与flash Memory[J]. 于宗光,许居衍,魏同立. 电子器件. 1997(01)
[8]FLASH MEMORY技术[J]. 卢廷勋,李正孝. 微处理机. 1995(03)
本文编号：2968914
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