还原时间对AlO x /WO x RRAM开关速度的调制作用

发布时间：2021-04-07 11:30

　　基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器（RRAM）芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度。测试结果表明,还原时间由10 min增加至30 min,在4 V和4.5 V操作电压下,FORMING速度分布的均值分别由200 ns减小至120 ns和由100 ns减小至60 ns;在4 V和4.5 V操作电压下,RESET速度分布的均值分别由160 ns减小至120 ns和由120 ns减小至100 ns;SET速度分布的均值在4 V电压下可由120 ns减小至80 ns。此外,还原时间的增长可以改善速度分布的一致性,减小速度的波动。 

【文章来源】：半导体技术. 2017,42(09)北大核心CSCD

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
0 引言
1 128 kbit Al Ox/WOx双层结构RRAM测试芯片
2 开关速度测试算法
3 不同还原时间开关速度测试结果
    3.1 FORMING速度
    3.2 RESET速度
    3.3 SET速度
4 还原时间调制RRAM开关速度的机理分析
5 结论


【参考文献】：
硕士论文
[1]ZnO忆阻器的全溶液法制备及性能研究[D]. 郑秀.杭州电子科技大学 2018



本文编号：3123410