基于大容量、高性能有机纳晶的场效应晶体管存储器的研究
发布时间：2021-04-23 08:28
海量的信息计算、存储、传输及应用正成为21世纪信息电子技术发展的鲜明特征。传统硅基存储技术已经达到了7 nm尺寸的技术节点并且即将达到其性能的极限。随着器件物理尺寸的减小,由于量子隧道效应和来自附近存储器单元的串扰导致器件性能降低和处理成本高昂,而可延展有机半导体材料被认为是最有希望媲美无机材料成为一个新的电子产品形式的应用方向。而基于有机非易失性场效应晶体管存储器由于易于与逻辑电路集成、非破坏性读取、可与柔性基底集成等优势对于开发新型存储器成为一种可行的方案。而海量的数据信息处理和存储要求开发大容量、高速、高密度的OFET存储器,科研工作者致力于开发大容量、高性能有机场效应晶体管存储器,但是器件的存储容量和存储稳定性有待提高以满足高速准确寻址。有机小分子半导体材料由于分子明确、结构简单易于提纯、分子导电类型可以定向设计等优点而备受关注。本论文将从以下几个方面开展研究:（1）电荷存储层材料的筛选;（2）存储界面的调控;（3）器件制备工艺的优化。该研究成果对于实现大容量、高性能有机纳晶场效应晶体管存储器提供了一种新的解决方案。主要研究内容如下:1、本文首先筛选出一系列具有优良溶解性和成膜...
【文章来源】：南京邮电大学江苏省
【文章页数】：94 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
abstract
专用术语注释表
第一章 绪论
1.1 引言
1.1.1 有机光电子学的发展概述
1.1.2 半导体存储器件
1.2 小分子的有机场效应晶体管的简介
1.2.1 小分子的有机场效应晶体管的材料的分类
1.2.2 小分子的有机场效应晶体管的器件结构和工作原理
1.3 二元混合物相分离的有机场效应晶体管
1.3.1 相分离的有机场效应晶体管简介
1.3.2 二元混合物垂直相分离的有机场效应晶体管的结构和特点
1.4 有机场效应晶体管存储器的简介
1.4.1 有机场效应晶体管存储器的结构分类及特点
1.4.2 有机场效应晶体管存储器的工作原理与性能参数
1.4.3 有机场效应晶体管存储器制备、表征和测试
1.5 本论文研究意义和挑战及设计思路
1.5.1 本论文的研究意义和遇到的挑战
1.5.2 本研究论文的设计思路
第二章 基于侧链基团效应对器件存储性能影响的研究
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 实验材料
2.2.2 器件的制备
2.2.3 器件的表征方法
2.3 基于TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器
2.3.1 TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备
2.3.2 TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能
2.4 基于TPP-CH作为电荷捕获层的OFET存储器
2.4.1 TPP-CH3作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备
2.4.2 TPP-CH3作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能
2.5 基于TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器
2.5.1 TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备
2.5.2 TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能
2.6 侧链基团效应机制的研究
2.7 本章小结
第三章 基于纳米限域效应对器件性能影响的研究
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 实验材料及器件结构
3.2.2 小分子/弹性体二元混合物相分离电介体的制备
3.2.3 器件的制备
3.2.4 器件的表征与分析方法
3.3 绝缘聚合物纳米限域效应对OFET存储性能的影响
3.3.1 不同的掺杂比例对存储性能的影响
3.3.2 相分离纳米结构阵列的表征
3.3.3 相分离工艺的普适性的研究
3.3.4 相分离纳米阵列存储机制的研究
3.4 本章小结
第四章 基于P/N型掺杂有机场效应晶体管存储器的研究
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 实验材料
4.2.2 器件的表征方法
4.3 基于双组分掺杂的OFET有机场效应晶体管存储器
4.3.1 器件的制备
4.3.2 掺杂比例对器件的存储性能的影响
4.4 基于三组分掺杂的OFET有机场效应晶体管存储器
4.4.1 器件的制备
4.4.2 掺杂比例对器件的存储性能的影响
4.4.3 电荷存储机制的分析
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
参考文献
附录1 补充数据
附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文
附录3 攻读硕士学位期间申请的专利
附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目
致谢
本文编号：3154994
【文章来源】：南京邮电大学江苏省
【文章页数】：94 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
abstract
专用术语注释表
第一章 绪论
1.1 引言
1.1.1 有机光电子学的发展概述
1.1.2 半导体存储器件
1.2 小分子的有机场效应晶体管的简介
1.2.1 小分子的有机场效应晶体管的材料的分类
1.2.2 小分子的有机场效应晶体管的器件结构和工作原理
1.3 二元混合物相分离的有机场效应晶体管
1.3.1 相分离的有机场效应晶体管简介
1.3.2 二元混合物垂直相分离的有机场效应晶体管的结构和特点
1.4 有机场效应晶体管存储器的简介
1.4.1 有机场效应晶体管存储器的结构分类及特点
1.4.2 有机场效应晶体管存储器的工作原理与性能参数
1.4.3 有机场效应晶体管存储器制备、表征和测试
1.5 本论文研究意义和挑战及设计思路
1.5.1 本论文的研究意义和遇到的挑战
1.5.2 本研究论文的设计思路
第二章 基于侧链基团效应对器件存储性能影响的研究
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 实验材料
2.2.2 器件的制备
2.2.3 器件的表征方法
2.3 基于TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器
2.3.1 TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备
2.3.2 TPP-OCH3作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能
2.4 基于TPP-CH作为电荷捕获层的OFET存储器
2.4.1 TPP-CH3作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备
2.4.2 TPP-CH3作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能
2.5 基于TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器
2.5.1 TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器的器件制备
2.5.2 TPP-H作为电荷捕获层的OFET存储器的电学性能
2.6 侧链基团效应机制的研究
2.7 本章小结
第三章 基于纳米限域效应对器件性能影响的研究
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 实验材料及器件结构
3.2.2 小分子/弹性体二元混合物相分离电介体的制备
3.2.3 器件的制备
3.2.4 器件的表征与分析方法
3.3 绝缘聚合物纳米限域效应对OFET存储性能的影响
3.3.1 不同的掺杂比例对存储性能的影响
3.3.2 相分离纳米结构阵列的表征
3.3.3 相分离工艺的普适性的研究
3.3.4 相分离纳米阵列存储机制的研究
3.4 本章小结
第四章 基于P/N型掺杂有机场效应晶体管存储器的研究
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 实验材料
4.2.2 器件的表征方法
4.3 基于双组分掺杂的OFET有机场效应晶体管存储器
4.3.1 器件的制备
4.3.2 掺杂比例对器件的存储性能的影响
4.4 基于三组分掺杂的OFET有机场效应晶体管存储器
4.4.1 器件的制备
4.4.2 掺杂比例对器件的存储性能的影响
4.4.3 电荷存储机制的分析
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
参考文献
附录1 补充数据
附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文
附录3 攻读硕士学位期间申请的专利
附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目
致谢
本文编号：3154994
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