一种RFID EEPROM读写问题的分析与解决

发布时间：2021-06-16 05:04

　　在目前国内0.18um RFID产品的EEPROM工艺还不是很成熟的情况下,本文通过分析解决一种RFID EEPROM读出检查失效的具体问题,目的是优化当前0.18um EEPROM RFID产品的设计和相关加工工艺,推动国内0.18um工艺的RFID EEPROM新品尽快能高良率地投入量产,参与国际竞争。本文通过采用数据分析、失效定位、实施改进、效果验证的方法,进行了大量失效分析、实验与验证,充分地分析了新产品EEPROM良率低、棋盘格读出检查失效所发生的根本原因。最终确定了圆片加工过程中,由于POLY1干法刻蚀过量导致栅氧化层不同程度的受损、漏电,漏电导致EEPROM选通管常失去选通作用;失去了选通作用的Cell单元,当其BIT逻辑为“1”,此BIT所在的整条位线的漏电会很大,使得整条位线上的其它BIT在读出检查时全被判读为“1”,表现出EEPROM棋盘格读出检查失效的现象。在本问题的分析与解决过程中,我通过优化芯片设计:适当增大EEPROM读出比较参考电流;通过调整圆片加工工艺:优化POLY1的蚀刻工艺、增大选通管的选择栅Poly1的条宽,增加多晶刻蚀后对栅氧化层的快速热处理等措... 

【文章来源】：复旦大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：46 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
引言
第一章 问题的提出
    第一节 RFID产品简介
    第二节 EEPROM简介
    第三节 问题的提出
第二章 问题的描述与初步定位
    第一节 工程样片的测试检查
    第二节 主要失效
    第三节 主要失效项分析
第三章 问题的分析与定位
    第一节 棋盘格的写入
    第二节 棋盘格的写后读出检查
    第三节 逻辑"0"变"1"问题的分析与定位
    第四节 异常存储单元的失效分析
    第五节 异常BIT的电特性检查
    第六节 异常BIT的物理结构检查
    第七节 异常原因的定位
第四章 改进措施及效果确认
    第一节 设计改进与工艺调整
    第二节 改进效果确认
    第三节 改进效果综述
第五章 总结与结论
致谢
参考文献



本文编号：3232419