SRAM存储器总剂量效应研究
本文关键词:SRAM存储器总剂量效应研究
【摘要】:近年来我国航天事业迅速发展,对抗辐射集成电路的需求也在不断的增加。存储器作为集成电路的重要组成部分,在长期空间使用中很容易发生总剂量效应。SRAM不仅作为最基本的存储器之一被广泛使用,,而且还作为高速缓冲存储器和寄存器堆栈被嵌入微处理器等核心器件中。因此SRAM的抗辐射性能决定着航天器和卫星的控制系统电路的稳定性,开展对SRAM的总剂量效应研究非常有必要。 本文从半导体器件中最常用的硅材料出发,研究了SiO2氧化层受辐照损伤机理和辐照效应。从MOS管的结构和功能出发,得出辐照对MOS管的总剂量效应影响。结合SRAM的单元结构和功能分析得出SRAM的总剂量效应敏感单元是存储阵列和敏感放大器,SRAM辐照下失效的最劣偏置是静态偏置。设计出SRAM总剂量辐射效应试验的测试方案和测试系统,通过试验证明静态偏置是SRAM的总剂量效应最劣偏置。
【关键词】:SRAM 总剂量效应 敏感性分析 测试系统
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2014
【分类号】:TP333
【目录】:
- 摘要3-4
- Abstract4-7
- 第一章 绪论7-13
- 1.1 研究背景7-8
- 1.1.1 SRAM 简述7-8
- 1.1.2 SRAM 最新发展8
- 1.2 空间环境及辐照效应分析8-10
- 1.2.1 空间环境8-9
- 1.2.2 辐射效应9-10
- 1.3 SRAM 的总剂量效应研究现状10-12
- 1.3.1 国外研究现状10-11
- 1.3.2 国内研究现状11-12
- 1.4 论文主要工作和组织安排12-13
- 第二章 辐射损伤机理13-29
- 2.1 Si-SiO_2界面电荷13-16
- 2.1.1 可动离子电荷13-14
- 2.1.2 界面陷阱电荷14-15
- 2.1.3 氧化层固定电荷15
- 2.1.4 氧化层陷阱电荷15-16
- 2.2 SiO_2介质材料辐射损伤机理16-17
- 2.2.1 电子-空穴对16-17
- 2.2.2 界面态影响17
- 2.3 MOS 器件电参数变化17-23
- 2.3.1 阈值电压18-19
- 2.3.2 漏电流19-21
- 2.3.3 跨导21-22
- 2.3.4 延迟22-23
- 2.4 总剂量效应影响因素23-25
- 2.5 总剂量偏置方法25-26
- 2.6 本章小节26-29
- 第三章 SRAM 及敏感性分析29-43
- 3.1 存储单元30-34
- 3.1.1 基本操作31-33
- 3.1.2 存储单元的辐照失效机制33-34
- 3.2 灵敏放大器34-38
- 3.2.1 灵敏放大器工作原理34-37
- 3.2.2 灵敏放大器失效原理37-38
- 3.3 其他外围电路38-40
- 3.3.1 预充电电路38-39
- 3.3.2 译码电路39
- 3.3.3 地址变化检测电路39-40
- 3.3.4 外围电路的总剂量效应40
- 3.4 IS61LV51216 的总剂量敏感性分析40-42
- 3.5 本章小节42-43
- 第四章 SRAM 总剂量试验43-55
- 4.1 试验方案设计43-44
- 4.2 硬件设计44-47
- 4.3 软件设计47-51
- 4.3.1 控制代码48-49
- 4.3.2 通信代码49-50
- 4.3.3 上位机界面50-51
- 4.4 试验及其结果分析51-53
- 4.4.1 试验环境51
- 4.4.2 开展试验51-52
- 4.4.3 试验结果及分析52-53
- 4.5 本章小节53-55
- 第五章 总结与展望55-57
- 5.1 工作总结55
- 5.2 工作展望55-57
- 致谢57-59
- 参考文献59-62
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