高速弹载记录仪存储技术研究

发布时间：2017-10-04 12:20

  本文关键词：高速弹载记录仪存储技术研究

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【摘要】：针对弹载记录仪中NAND型Flash在负延时记录时写入速度低和可靠性差的问题,提出一种新型高速负延时存储方法。在研究NAND型Flash存储器存储介质访问原理的基础上,采用当前成熟的高速率流水线存储技术,设计了一种单通道双控制总线的高速存储结构,解决了当前具有负延时的弹载记录仪存储速度的瓶颈问题。以SOPC技术为基础,将整个控制系统构建在单片FPGA上提高可靠性。试验结果验证了该存储体系结构单通道写入速度可达最高理论值40 MB/s,负延时容量、存储总容量根据要求可设置。
【作者单位】： 中北大学电子测试技术国家重点实验室;中北大学仪器科学与动态测试教育部实重点实验室;中北大学机电工程学院;
【关键词】： 负延时 记录仪 高速存储 NAND Flash
【基金】：山西省青年科技研究基金(No.2013021015-1)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 弹载负延时记录仪可以将发射前初始姿态数据有效地存储,从而记录了完整的弹道姿态测试数据,保证数据的连贯性和完整性。随着航空电子技术的高速发展,分辨率和采样率大幅提高,且要求记录全程弹道姿态数据,这样对弹载负延时记录仪的写入速度提出了更高的要求[1-2]。传统弹载记录

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本文编号：970642