电动汽车用IGBT模块液冷散热及封装可靠性研究
本文关键词:电动汽车用IGBT模块液冷散热及封装可靠性研究
【摘要】:近些年电动汽车的发展十分迅速,其优良的环保节能特性受到越来越多人的青睐,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是电动汽车必不可少的部件,起到电平转换、交直流变换、电池充电以及系统控制的作用。但其工作环境恶劣,耗散热流密度大、芯片封装结构复杂。散热不足导致温度升高会造成芯片工作性能下降甚至烧毁;封装模块随着工作温度的变化会在内部产生热应力,应力过大或分布不均极易造成芯片与陶瓷层的断裂或封装材料疲劳失效。对此,本文分别从模块液冷散热与热应力两方面进行了详细分析与研究。在IGBT液冷散热模块研究中,本文详细分析了芯片的散热路径及其散热热阻,为散热方式的改进提供了有力的理论支撑。设计了一款能够方便、准确、经济比较不同翅柱类型散热和流阻的对比平台,利用该对比平台分析对比了8中翅柱类型,得出采用菱形60°角叉排翅柱可获得更好的散热和流动特性。同时本文针对翅柱冷板多因素多水平的优化问题提出了采用均匀设计、回归分析和假设性检验的方法对冷板翅柱参数进行优化,将优化后的菱形60°角叉排翅柱与德国产Infineon Hybridpack2模块进行对比,获得了更好的散热效果和更小的流动阻力,验证了该优化方法的可靠性和有效性。在模块封装热应力研究中,首先分析了芯片覆铝层及按层次封装方式对模块应力场的影响,结果显示覆铝层的存在会导致芯片上表面热应力显著升高,升高幅度可达25.3%;与实际情况更相符的按层次封装方式的焊料两端热应力显著小于对齐封装方式,模块最大应力值存在于DBC板陶瓷层。为改善封装模块恶劣的热应力环境,本文提出采用基板上方添加缓冲层和基板开缝的方式来缓解热应力。分别详细研究了添加缓冲层与否、缓冲层厚度、缓冲层材料类型、三层梯度过度缓冲材料以及基板开缝方式对热应力的作用效果。结果表明:添加缓冲层可有效降低模块热应力;缓冲材料的厚度对应力场作用效果较差,随厚度增加热应力略有上升;三层梯度过度缓冲材料能进一步降低芯片热应力,减小封装材料之间的应力梯度;基板开缝方式亦可降低模块热应力,开缝数目对应力降低效果无显著影响。合理的散热措施、模型优化方法、应力缓冲材料以及基板开缝方式对于提升电动汽车IGBT模块的可靠性和安全性必不可少。
【关键词】:IGBT 翅柱 散热 热应力 缓冲层
【学位授予单位】:重庆大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:U469.72;TN322.8
【目录】:
- 中文摘要3-4
- 英文摘要4-7
- 1 绪论7-23
- 1.1 课题背景及意义7
- 1.2 电动汽车用IGBT模块的基本结构及其应用7-10
- 1.3 IGBT模块应用中存在的散热及热应力问题10-13
- 1.3.1 热耗散产生的原因及其危害10-11
- 1.3.2 热应力产生的原因及其危害11-13
- 1.4 研究现状13-21
- 1.4.1 IGBT模块散热研究现状13-17
- 1.4.2 IGBT模块热应力研究现状17-21
- 1.5 本课题主要研究内容21-23
- 2 数值模拟及理论基础23-31
- 2.1 数值模拟软件介绍23-24
- 2.2 数值模拟理论基础24-31
- 3 电动汽车IGBT模块的液冷散热分析与优化31-55
- 3.1 IGBT液冷模块散热热阻及分析31-34
- 3.2 液冷模块翅柱式冷板的对比研究34-39
- 3.2.1 翅柱式冷板散热及流动性能对比试验平台设计34-35
- 3.2.2 不同类型翅柱式冷板的散热及流动性能对比研究35-39
- 3.3 菱形 60°角叉排翅柱式冷板的均匀设计及数字实验结果回归分析优化39-52
- 3.3.1 均匀设计及回归分析优化方法39-41
- 3.3.2 方案的设计与实施41-46
- 3.3.3 回归方程和回归系数的显著性检验与修正46-51
- 3.3.4 优化后模型与初始模型的对比分析51-52
- 3.4 本章小结52-55
- 4 IGBT芯片封装热应力的分析与设计55-85
- 4.1 芯片热应力分析模型的建立56-69
- 4.1.1 芯片封装热应力场模拟参数介绍57-60
- 4.1.2 芯片覆铝层对模块应力场的影响分析60-64
- 4.1.3 对齐封装与按层次封装结构对模块热应力场的影响分析64-69
- 4.2 缓冲层对模块热应力的影响69-82
- 4.2.1 缓冲层的添加对模块热应力的影响69-72
- 4.2.2 不同厚度缓冲材料对模块热应力的作用效果72-74
- 4.2.3 不同种类缓冲材料对模块热应力的影响74-77
- 4.2.4 三层梯度渐变缓冲材料对模块热应力的影响77-80
- 4.2.5 基板开缝对模块热应力的影响80-82
- 4.3 本章小结82-85
- 5 结论与展望85-87
- 5.1 结论85-86
- 5.2 展望86-87
- 致谢87-89
- 参考文献89-91
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,本文编号:931282
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