高速光通讯面发射激光器的热分析及优化

发布时间：2018-07-22 16:13

【摘要】：垂直腔面发射激光器(VCSEL)已成为短距离数据通信传输系统的首选光源。热限制是VCSEL器件调制带宽进一步增加的一个主要的制约因素。本文基于有限元分析的方法对影响980 nm-VCSEL器件有源区温度的参数,如驱动电流、氧化孔径尺寸、氧化层材料等做了比较分析,还数值分析了二元系Ga As/Al As材料DBR用于高速低能耗VCSEL器件的优势,为绿色光子器件设计提供优化思路。
[Abstract]:Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) has become the preferred light source for short-range data communication systems. Thermal limitation is a major constraint for the further increase of modulation bandwidth of VCSEL devices. Based on the finite element analysis method, the parameters affecting the active region temperature of 980nm-VCSEL devices, such as driving current, oxidation aperture size, oxide layer material and so on, are compared and analyzed in this paper. The advantages of binary Ga As/Al as materials used in high speed and low energy consumption VCSEL devices are also numerically analyzed, which provides an optimization idea for the design of green photonic devices.
【作者单位】： 青岛科技大学数理学院;
【基金】：国家自然科学基金(11647169) 山东省自然科学基金(ZR2016FB05) 青岛市自然科学基金(16-5-1-8-jch) 发光学及应用国家重点实验室开放基金(SKLA-2016-14)资助项目~~
【分类号】：TN248

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本文编号：2138018