Ag-S共掺杂AlN电子结构和光学性质的第一性原理研究

发布时间：2018-09-06 07:31

【摘要】：用第一性原理平面波赝势方法对纯AlN和Ag-S共掺杂AlN的结合能、电子结构和光学性质进行计算分析.结果表明:施主杂质S原子的引入可以有效增加受主杂质Ag原子在AlN中的掺杂浓度,降低受主能级,对受主Ag原子起到了激活的作用,Ag-S共掺杂有助于实现高效的p型AlN.体系掺杂后的介电函数虚部和光吸收谱分别在低能区出现新的峰,其吸收边向低能方向偏移,增强了体系对低频电磁波的吸收.
[Abstract]:The binding energy, electronic structure and optical properties of pure AlN and Ag-S co-doped AlN were calculated and analyzed by the first-principle plane-wave pseudopotential method. The results show that the introduction of donor impurity S atom can effectively increase the doping concentration of acceptor impurity Ag atom in AlN, decrease the acceptor energy level and activate the acceptor Ag atom. Ag-S co-doping is helpful to the realization of high efficiency p-type AlN.. The imaginary part of the dielectric function and the optical absorption spectrum of the doped system exhibit new peaks in the low energy region respectively, and the absorption edge shifts to the low energy direction, which enhances the absorption of the low frequency electromagnetic wave in the system.
【作者单位】： 计算物理四川省高等学校重点实验室;宜宾学院物理与电子工程学院;
【基金】：四川省教育厅科研基金(13ZA0198) 宜宾学院计算物理四川省高等学校重点实验室开放课题基金(JSWL2014KF04) 宜宾市重点科技(2012SF034)资助项目
【分类号】：O469

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2225673