简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟

发布时间：2019-07-15 12:37

【摘要】：基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显著提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显著提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.
[Abstract]:The effects of strain, temperature and doping on the direct band spontaneous emission spectrum of degenerate germanium are simulated based on Fermi Dirac model. With the increase of temperature, more electrons are excited into the conduction band, so that the peak intensity and integral intensity of germanium spontaneous emission spectrum increase with the increase of temperature. The m factor of the peak intensity of spontaneous emission spectrum is calculated. The results show that the tensile strain can significantly improve the temperature stability of germanium spontaneous emission. At the same strain level, the peak intensity of spontaneous emission spectrum caused by gamma-hh transition is greater than that caused by gamma-lh transition, but the integral intensity of the two is almost equal. In addition, the calculated results also show that n-type doping can significantly improve the spontaneous emission intensity of germanium. The above results have important reference significance for the study of spontaneous emission properties of degenerate semiconductors.
【作者单位】： 厦门大学物理学系协同创新中心半导体光子学研究中心;
【基金】：国家重点基础研究计划(批准号:2013CB632103) 国家自然科学基金(批准号:61474094)资助的课题~~
【分类号】：O47

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本文编号：2514690