薄壁量子化方法及其在光学中的应用
【学位单位】:南京大学
【学位级别】:博士
【学位年份】:2019
【中图分类】:O413;O441
【部分图文】:
和相对强度无关。??参考第二章中的薄壁化过程,哈密顿量(3.3)可以分离为法向和切向的哈??密顿量,在本章中我们使用式(3.6)中的限制势并引入方形边界(如图3.1),我??们继续将法向哈密顿量免v分离成沿法向的哈密顿量右n和沿副法向的哈密顿??量??=?_2m^2?+?(3.7)??Hb?=? ̄2m^?^772^2^3^2'?(3.8)??与瓦和戌相关的本征方程就是量子力学中的简单的一维谐振子的求解问题。于??是我们可以很容易地得到法向和副法向的基态表达式:??|Xn〇〉=?aH?哗,?(3.9)??\Xw)?=?(3.10)??其中a?=?相应的零点能为私〇?=五6〇?=?&/2。??于是根据式(3.2)、(3.3)、(3.9)和(3.10),我们可以得到曲线上的等效哈密顿??量为:??=?(XnOyboKf^Hf?5)? ̄?Hjv|XnO,6〇)〇??=lira?(XnO,6〇|(/^/ ̄5)?-?^jv|x?〇)W))??W400??1?.2?纪?2?^?2?in??=2^Pa ̄8^K? ̄4^r?5?(311)??其中丨Xn〇,W〉=?Ixn0〉?|xw〉,灸=一访么是切向的动量算符,一盖《2即第二章??中提到的几何势&43,而第三项-盖T2是由挠率诱导的几何势[112]。其中通常??的几何势-也可以从式(3.1)得到,但是挠率诱导的几何势-基T2却不能从??式(3.1)得到
?q2?q2??图3.1:方形边界的情况。(a)具有方形横截面的扭管。(b)横截面及相应的限制??力。(c)限制势Vb(g2,g3)。(d)限制势沿g2方向的示意图。??其中P是定义在法平面上的极坐标一一径向坐标。圆形边界的薄壁化过程和方形??边界的薄壁化过程中最重要的不同在于,后者冻结了法向的两个维度而前者只??冻结法向的一个维度,即径向维度,同时方位角维度的运动则保留下来了。由??于限制势(3.13)具有SO(2)对称性,内在轨道角动量乙跟哈密顿量戌v对易,1定??义为:??Ls?—?—ih(q2ds?—?=?—ihdg,?(3.14)??其中0表示法平面的极坐标一一方位角坐标。在极坐标下,法向哈密顿量免V写??1?为:??Hn?=?Sdppdp+^L2s?+?\mUj2p'?(3-15)??20??
(d)零温时,考虑(实线)和不考虑(虚线)自旋联络时的电导。??为了比较赝磁场和等效自旋轨道相互作用的效应,我们在这里考虑弯曲柱??面上的粒子(参考图3.4.(a))。相应的哈密顿量为:??fr?—?R?R?+?pcosd??°?一?2mp2R?+?pcosede(?R?汍)??汽2?R2?m?^3?.?,12??2m?(R?+?pcos0)2?s?2i??Sm?]??h2?cos?9??+4mp(i??+?pcos0)?’?(3.69)??和??£j?—?ih2?R?cos?9?1??3〇i?=?2^p(R?+?pcos9){R?+?pcos9aeaa? ̄?(3.7〇)??31??
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本文编号:2838695
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