Sr掺杂对La 1-x Sr x MnO 3 /LaAlO 3 /SrTiO 3 界面电子结构的影响

发布时间：2021-01-01 22:57

　　采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统地研究了La_1-xSr_xMnO₃层中Sr的掺杂方式和掺杂量对4La_1-xSr_xMnO₃/3LaAlO₃/4SrTiO₃（LSMO/LAO/STO）异质结构原子和电子结构的影响.结果表明:对于相同的Sr掺杂量,掺杂方式的差异对体系电子结构的影响微弱,不会导致体系发生金属-绝缘体转变;掺杂量的不同对体系电子结构有着显著的影响,当Sr的掺杂量较少时,LAO/STO界面处存在着准二维电子气,当Sr的掺杂量高于1/3时,LAO/STO界面处准二维电子气消失.我们相信,Sr的引入以及通过Sr掺杂量的改变可以对LSMO覆盖层极化进行调控,这也是导致体系LAO/STO界面处金属-绝缘体转变的可能原因,进一步为极化灾变机制导致的界面处电子重构提供了证据. 

【文章来源】：物理学报. 2017年18期 北大核心

【文章页数】：8 页


本文编号：2952142