多靶材甚高频磁控溅射的溅射特性与离子性能研究

发布时间：2021-01-23 08:42

　　随着等离子体技术在材料加工、微纳电子器件制造、环境污染物处理、医学及生物等多个领域应用的快速发展,作为推动其他高新技术快速发展的重要手段,低温等离子体技术得到人们的极大关注,在不断发展、创新。根据低温等离子体理论,放电等离子体密度与放电驱动频率之间满足n?f2的关系,为了有效提高等离子体密度,高频、甚高频驱动放电产生低温等离子体的技术得到高度关注,并在硅、碳薄膜材料及纳米结构的制备中得到应用。甚高频磁控溅射（VHF-MS）是重要的甚高频等离子体技术之一,由于离子性能决定着靶材料溅射和材料生长两方面的性能,因此,离子性能是溅射等离子体的重要特性。而离子行为与放电性能和靶材性质有关,因此,本论文开展了多种靶材（Ag、Cu、Al、C、Si靶）的60MHz甚高频溅射放电特性和离子性能研究。论文采用60MHz的甚高频作为驱动频率,13.56MHz作为对比频率,研究分析了源输入功率和真实放电功率之间的关系、真实放电功率的耗散、放电阻抗特性和放电I-V特性,并研究了离子能量分布特性、离子能量和通量密度特性,分析了不同靶材对溅射特性和离子性能的影响。研究结果表明:（1）真实放电功率随入射功率的增大呈线... 

【文章来源】：苏州大学江苏省

【文章页数】：64 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

SEM下显示的蜂窝结构

沉积的多晶硅栅结构REM截面图

图 1-3 膜厚均匀性[6]采用甚高频 (VHF: 70MHz)等离子体增强的热丝VD）开展了低温制备碳纳米管（CNT）的研究。的射频(RF: 13.56MHz)放电来产生等离子体，可以

【参考文献】：
硕士论文
[1]射频、甚高频磁控溅射沉积硅薄膜的研究[D]. 何海杰.苏州大学 2015
[2]甚高频磁控溅射放电等离子体特性的研究[D]. 黄福培.苏州大学 2014



本文编号：2994913