高压下SnS纳米片的结构及电输运性质研究
发布时间：2021-02-07 16:07
在石墨烯被报道其内部含有独特的层状结构以后,具有类似结构的IV-VI族二维层状半导体材料吸引了人们广泛的研究兴趣。硫化亚锡（Sn S）作为IVVI族化合物中极具代表性的半导体材料之一,引发了科学家们的研究热潮。本文选取应用直流电弧等离子体放电方法合成的少层Sn S纳米片作为研究对象,通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对样品在常压时的结构和形貌进行了表征。通过对其高压原位拉曼光谱（Raman spectroscopy）和高压同步辐射X射线衍射光谱的分析,研究了Sn S纳米片在高压下的结构性质。通过高压原位室温电阻率、高压原位变温电阻率以及高压原位Hall效应的测量,对其在高压下的电输运性质进行了系统的研究。探索压力对Sn S纳米片结构及电输运性质的调控作用。具体的研究成果如下:1、我们通过直流电弧等离子体放电方法成功合成了少层Sn S纳米片。利用SEM和TEM对Sn S纳米片的形貌进行了表征,得知Sn S纳米片样品的平均长度和宽度为400-500nm,平均厚度为20-30nm。利用X射线衍射技术对其常压结构进行了表征,结果表明Sn S纳米片为正交...
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：63 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
具有不同形态的纳米材料：(a)无孔Pb纳米颗粒(0D)
和熔点：材料的弹性模量与原子或分子间的键间强材料的熔点和弹性模量越高，材料的弹性性质通常如果温度升高，原子间的平均间距增加，弹性模）的大量增加可以等同于具有较高的表观温度。然只有在空位浓度明显较高时才会表现出来。由于纳材料，因此弹性模量较低。纳米材料的杨氏模量比.2 所示[14]。纳米材料的表面和晶界区域较大，键能的熔化焓和熔化温度。例如，直径为 2.5nm 的 CdS而体材料的熔点约为 1675K[14]。同样，单壁碳纳米材料的熔点为 3800K[14]。ertiessionc propertiesResistivity increased by 3 timesHigherImproved electrocatalytic activities for hydro
(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)分别代表 Bi2Se3、MoO3、h-BN、FeOCl 及 Ti2Cl2二维层状材料的空间结构图[15]金属硫化物概况及研究背景去几年里，随着第一个晶体管以及在单层 MoS2中强光致发维过渡金属硫化物（Two-dimensional transition metal dichal引起了科学家们新的研究热潮。实际上 TMDCs 具有非常悠早在 1923 年，Linus Pauling 就确定了 TMDCs 的结构[31]。到末，大约知道有 60 种 TMDCs，其中至少有 40 个具有层状Robert Frindt 首次用胶带法得到超薄层的 MoS2[33]，直到 19 MoS2[34]。Reshef Tenne 等人在无机富勒烯和纳米管方面做出碳纳米管研究的发展齐头并进，自发现 WS2纳米管和嵌套颗
【参考文献】：
期刊论文
[1]拉曼光谱的发现和最近的发展[J]. 吴征铠. 光谱学与光谱分析. 1983(02)
博士论文
[1]高压下SnS，SnTe，In2Se3及Alq3的结构和电输运性质研究[D]. 柯峰.吉林大学 2015
[2]高压下半导体的载流子行为[D]. 胡廷静.吉林大学 2011
本文编号：3022476
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：63 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
具有不同形态的纳米材料：(a)无孔Pb纳米颗粒(0D)
和熔点：材料的弹性模量与原子或分子间的键间强材料的熔点和弹性模量越高，材料的弹性性质通常如果温度升高，原子间的平均间距增加，弹性模）的大量增加可以等同于具有较高的表观温度。然只有在空位浓度明显较高时才会表现出来。由于纳材料，因此弹性模量较低。纳米材料的杨氏模量比.2 所示[14]。纳米材料的表面和晶界区域较大，键能的熔化焓和熔化温度。例如，直径为 2.5nm 的 CdS而体材料的熔点约为 1675K[14]。同样，单壁碳纳米材料的熔点为 3800K[14]。ertiessionc propertiesResistivity increased by 3 timesHigherImproved electrocatalytic activities for hydro
(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)分别代表 Bi2Se3、MoO3、h-BN、FeOCl 及 Ti2Cl2二维层状材料的空间结构图[15]金属硫化物概况及研究背景去几年里，随着第一个晶体管以及在单层 MoS2中强光致发维过渡金属硫化物（Two-dimensional transition metal dichal引起了科学家们新的研究热潮。实际上 TMDCs 具有非常悠早在 1923 年，Linus Pauling 就确定了 TMDCs 的结构[31]。到末，大约知道有 60 种 TMDCs，其中至少有 40 个具有层状Robert Frindt 首次用胶带法得到超薄层的 MoS2[33]，直到 19 MoS2[34]。Reshef Tenne 等人在无机富勒烯和纳米管方面做出碳纳米管研究的发展齐头并进，自发现 WS2纳米管和嵌套颗
【参考文献】：
期刊论文
[1]拉曼光谱的发现和最近的发展[J]. 吴征铠. 光谱学与光谱分析. 1983(02)
博士论文
[1]高压下SnS，SnTe，In2Se3及Alq3的结构和电输运性质研究[D]. 柯峰.吉林大学 2015
[2]高压下半导体的载流子行为[D]. 胡廷静.吉林大学 2011
本文编号：3022476
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