高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性
发布时间：2021-04-19 10:11
采用分子束外延技术（MBE）在Ga As衬底上外延生长高In组分（>40%）In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波长覆盖1.31.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光（PL）光谱研究了N原子并入的生长机制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生长特性。结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In0.4Ga0.6N0.01As0.99/Ga As量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量。
【文章来源】：发光学报. 2017,38(11)北大核心EICSCD
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
1 引言
2 实验
3 结果与讨论
3.1 N并入In Ga As的MBE生长
3.3 1.55μm In Ga NAs/Ga As量子阱
4 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱外延结构及其LP-MOCVD生长工艺研究[J]. 胡伟,曾庆高,叶嗣荣,杨立峰. 光子学报. 2017(03)
[2]2μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计[J]. 安宁,韩兴伟,刘承志,范存波,董雪,宋清丽. 光子学报. 2016(09)
[3]实用型三谱段太阳模拟器的设计与研制[J]. 高雁,刘洪波,王丽,顾国超. 中国光学. 2015(06)
[4]GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性[J]. 郑新和,夏宇,刘三姐,王瑾,侯彩霞,王乃明,卢建娅,李宝吉. 发光学报. 2015(08)
本文编号：3147352
【文章来源】：发光学报. 2017,38(11)北大核心EICSCD
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
1 引言
2 实验
3 结果与讨论
3.1 N并入In Ga As的MBE生长
3.3 1.55μm In Ga NAs/Ga As量子阱
4 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱外延结构及其LP-MOCVD生长工艺研究[J]. 胡伟,曾庆高,叶嗣荣,杨立峰. 光子学报. 2017(03)
[2]2μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计[J]. 安宁,韩兴伟,刘承志,范存波,董雪,宋清丽. 光子学报. 2016(09)
[3]实用型三谱段太阳模拟器的设计与研制[J]. 高雁,刘洪波,王丽,顾国超. 中国光学. 2015(06)
[4]GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性[J]. 郑新和,夏宇,刘三姐,王瑾,侯彩霞,王乃明,卢建娅,李宝吉. 发光学报. 2015(08)
本文编号：3147352
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