非晶丝轴向非均匀磁场测量技术研究
发布时间：2021-08-02 23:22
由于物联网逐步深入我们社会生产和社会活动中,与信号获取相关的传感器就显得愈发重要。其中,磁传感器广泛应用于探测、获取、存储、变换、重现和监控各种磁场。在当前信息化浪潮中,磁传感器作为基础电子元件在信息社会中发挥不可替代的作用。而目前电子产品的小型化、精确性,以及对复杂环境的适应性都对磁传感器的综合性能提出了更高的要求。非晶丝作为一种非晶态合金丝,因其良好的软磁性能和特殊的巨磁阻抗效应而引起广大磁传感器科研工作者的关注。当前对非晶丝建模和测量技术研究都集中在均匀轴向磁场中并忽略了非晶丝磁化时退磁场的影响,缺乏在考虑退磁场时对非晶丝在非均匀轴向磁场中的阻抗特性研究。为了提高非晶丝磁传感器对非均匀磁场的分辨力,本文提出了一种针对轴向非均匀磁场下的非晶丝测量方法。在本课题中主要研究如何利用非晶丝巨磁阻抗特性测量轴向非均匀磁场,即对非晶丝在轴向非均匀磁场中阻抗张量建模。在文中结合电磁理论,通过解Maxwell方程获得高频激励下均匀轴向磁场中的非晶丝阻抗张量模型。根据退磁理论和非晶丝中退磁因子的分布曲线建立非晶丝退磁场模型。根据电流的磁效应,利用长直导线周围空间磁场分布构建非均匀磁场模型。通过对非...
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
非均匀磁场平台
图 4-3 非晶丝测试板晶丝阻抗前端滤波电路设计丝阻抗前端滤波电路包含两个部分：一部分是混频电路， 设计的是第一部分混频电路部分 混频电路的主要作用是路信号混频获得 10.7 MHz 频率的信号输出到晶体滤波器信号为 1.0 MHz，设置另一路混频信号为 9.7 MHz，那么可到 10.7 MHz 的混频信号 电路中混频器选取的是 ADI 公司的 AD835 芯片 这是一象限模拟电压乘法器，其内部工作原理图如图 4-4 所示 产生的线性乘积，输出信号衰落为 3 dB，工作频率为 25 ±5 V 从最大量程降至最小量程仅需 2.5 ns（RL 为 150 0.1%的建立时间一般需 20 ns 其差分输入 X 同 Y 及其求状态 低阻抗状态下输出电压（W）可提供高达±2.5 V 的
W9500K 25TGNDVCC5FBFB5C30.1uFFB11C15FB0.1uF32184U8AADA4077-2VCC-5R3010KR341KR3550RJ1W1100K 25TR321KC370.1uFC160.1uF67ADA40VCC5BR29 10KVCC5BADA4077-2C5910uFVPHS1C1810uF同相放大器MAV图 4-10 调零放大电路D8302 相位差电压PHSV 的处理类似，在这里就不在在同向放大电路中的放大倍数3A ，3A 的值也为 1
本文编号：3318467
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
非均匀磁场平台
图 4-3 非晶丝测试板晶丝阻抗前端滤波电路设计丝阻抗前端滤波电路包含两个部分：一部分是混频电路， 设计的是第一部分混频电路部分 混频电路的主要作用是路信号混频获得 10.7 MHz 频率的信号输出到晶体滤波器信号为 1.0 MHz，设置另一路混频信号为 9.7 MHz，那么可到 10.7 MHz 的混频信号 电路中混频器选取的是 ADI 公司的 AD835 芯片 这是一象限模拟电压乘法器，其内部工作原理图如图 4-4 所示 产生的线性乘积，输出信号衰落为 3 dB，工作频率为 25 ±5 V 从最大量程降至最小量程仅需 2.5 ns（RL 为 150 0.1%的建立时间一般需 20 ns 其差分输入 X 同 Y 及其求状态 低阻抗状态下输出电压（W）可提供高达±2.5 V 的
W9500K 25TGNDVCC5FBFB5C30.1uFFB11C15FB0.1uF32184U8AADA4077-2VCC-5R3010KR341KR3550RJ1W1100K 25TR321KC370.1uFC160.1uF67ADA40VCC5BR29 10KVCC5BADA4077-2C5910uFVPHS1C1810uF同相放大器MAV图 4-10 调零放大电路D8302 相位差电压PHSV 的处理类似，在这里就不在在同向放大电路中的放大倍数3A ，3A 的值也为 1
本文编号：3318467
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