2003年中国太阳能学会学术年会论文集》2003年

  本文关键词：基于开路电压和环境温度的铅酸蓄电池充电状态的数学模型，由笔耕文化传播整理发布。

《21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集》2003年

高开路电压纳米非晶硅太阳电池

胡志华  廖显伯  刁宏伟  曾湘波  徐艳月  孔光临  

【摘要】：本文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(T_s=170℃),用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层,经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池。电池开路电压(V_(oc))高达0.94V,同时还能保证72%以上的填充因子(FF)。光电转换效率(E_(ff))达到8.35%(AM1.5,100mW/cm~2)。

【作者单位】：
【关键词】：
【基金】：国家重点基础研究发展规则(973)资助项目(批准号:G2000028201)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】：

1己l侣绪JL,.「1 近年来,多孔硅(porous一Si)以及含氧、含氮和氮化纳米晶硅(ne一51:O,nc-Si,N,ne一51:H)由于量子限制效应(Quantum。onfinement effeet)引起晶体硅的能带结构发生改变,使其具有了较强的室温可见光发光特性,使人们看到了成熟并日益发展的硅基微电子工艺最终实

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