叶面喷施硅对镉胁迫番茄叶片PSⅡ电子传递的影响

发布时间：2025-03-17 21:51

　　 【目的】本文探究了喷施Si对Cd胁迫下番茄叶片光系统II电子传递的影响,为低Si吸收作物番茄栽培过程中硅肥的合理施用、防治镉污染提供理论依据。【方法】以"耐裂王"番茄为材料,利用盆栽法模拟不同Cd含量的土壤,喷施不同浓度的Si溶液,采用Dual-PAM-100双通道荧光测定仪分析测定PSⅡ快速叶绿素荧光诱导动力学特性。【结果】镉胁迫可导致快速叶绿素荧光诱导动力学曲线改变,最小荧光值（F_o）和K相相对可变荧光（V_k）显著增加。喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片的F_o和V_k。镉胁迫引起单位反应中心吸收的光能（ABS/RC）、捕获的光能（TRo/RC）和热耗散的能量（DIo/RC）增加,而降低单位反应中心传递的能量（ETo/RC）、PSⅡ最大电子传递速率(ETR_max)和光合性能(PI_abs),导致番茄叶片光合机构完整性被破坏,单位PSⅡ反应中心数量发生变化,PSⅡ供、受体侧受到毒害,抑制光合电子传递。喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC,提高ETo/RC、PSⅡ...

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【部分图文】：

图1 外源Si对不同镉浓度土壤栽培番茄叶片快速叶绿素荧光诱导动力学曲线的影响

表1试验设置Table1Treatments土壤镉处理Treatmentsofcadmium镉含量(mg/kg)Cadmiumcontent喷施Si处理TreatmentsofsiliconSi浓度(mmol/L)Siliconcontent处理编号T....

图2 外源Si对不同镉含量土壤栽培番茄幼苗叶片相对可变荧光 ΔVt的影响

K点的出现和K相相对可变荧光(Vk)可以作为放氧复合体(OEC)遭受破坏和PSⅡ供体侧的受损程度的标记[21-22]。如图2相对可变荧光ΔVt的分析结果可知,不同浓度的Cd栽培番茄叶片在0.3ms特征位点处出现K相,ΔK>0,此外ΔJ和ΔI均>0,这与高温胁迫下番茄叶片响应一样....

图3 外源Si对不同镉浓度土壤栽培番茄叶片初始荧光和最大荧光的影响

图2外源Si对不同镉含量土壤栽培番茄幼苗叶片相对可变荧光ΔVt的影响由图3可以看出,H处理,喷施不同浓度Si以后,叶片Fo显著低于未喷施的H处理,喷施高浓度Si和中等浓度Si以后,Fo显著低于CK和HL处理,但相互无显著差异。L处理,喷施不同浓度Si以后,叶片Fo均显著低于C....

图4 外源Si对不同镉浓度土壤栽培番茄幼苗叶片PSⅡ受体侧参数的影响

由图3可以看出,H处理,喷施不同浓度Si以后,叶片Fo显著低于未喷施的H处理,喷施高浓度Si和中等浓度Si以后,Fo显著低于CK和HL处理,但相互无显著差异。L处理,喷施不同浓度Si以后,叶片Fo均显著低于CK,除LL处理显著低于L处理外,LH和LM处理与未喷施Si的L处理无显著....

本文编号：4035525