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241. 基于SiC MOSFET与单相SVPWM技术的高频逆变电源研究
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242. 氢钝化4H-SiC（0001）表面本征点缺陷及其吸附金属（Ag、Mo）后的结构与电子性质理论研究
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243. 0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究
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244. 基于MOSFET串并联技术的海航脉冲发生器的设计与实现
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245. 计及MOSFET关断过程的LLC变换器死区时间选取及计算
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246. 碳化硅MOSFET电容及宽温度范围内的静态参数测试
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247. 基于半解析法的全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势分析
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248. 高压脉冲发生器中SiC MOSFET串联均压电路新方法
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249. InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟
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250. 基于广义傅里叶级数的平面MOSFET漏/源电阻半解析模型
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