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351. Si上MOCVD法制备ZnO薄膜以及n-ZnO/MgO/p-Si异质结器件发光研究
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352. SI公司销售收款环节的内控研究
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353. 沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺
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354. SI发动机闭环系统故障检测
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355. In 2 S 3 /TiO 2 /Si、CdIn 2 S 4 /TiO 2 /Si薄膜的制备及其光电化学性质的研究
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356. 候选星际分子HC 6 N和中空金硅团簇Au 12 Si 20 、Au 30 Si 12 的结构和稳定性预测
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357. PECVD制备a-Si:H（nc-Si:H）/a-SiC:H多层薄膜的光电特性研究
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358. Si 2 O 3 粒径对传感器用L-MBE沉积Pt/ZnMgO/Si 2 O 3 导电性能和组织的影响
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359. C f /SiC表面Si/（Er 2 SiO 5 ，Er 2 Si 2 O 7 ）/热障涂层的CMAS热腐蚀行为研究
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360. SI体系内装工业化研究
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