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1. 低功耗4H-SiC沟槽IGBT的仿真研究

2. 超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长

3. 4H-SiC欧姆接触研究及其应用

4. 半绝缘4H-SiC光导开关研究

5. 4H-SiC功率BJT器件特性研究

6. 4H-SiC纳米结构调制及应用研究

7. 4H-SiC MESFET特性对比及仿真

8. 基于4H-SiC的中子探测技术研究

9. SiO 2 /4H-SiC界面氮化退火

10. 4H-SiC同质外延基面位错的转化

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