当前位置:主页 > 理工论文 > 核科学论文 >

AC耦合硅微条探测器的研制

发布时间:2020-05-29 17:51
【摘要】:硅微条探测器有很高的能量分辨率和位置分辨率、很宽的能量线性范围、较快的时间响应等诸多优点,,已被广泛应用于高能物理与核物理实验中。与DC耦合硅微条探测器相比,AC耦合读出将反向漏电流与信号隔离开来,避免了因辐射损伤导致的过大的漏电流流入前放,有效地提高了信噪比。因此,AC耦合硅微条探测器比DC耦合探测器具有明显的优越性。 本文在分析硅微条探测器工作原理的基础上,对硅微条探测器的结构,特别是AC耦合的硅微条探测器的结构,进行了深入细致的探讨,设计了AC耦合硅微条探测器的器件构型和流片工艺,并利用Silvaco软件模拟验证了AC耦合硅微条探测器的工艺和器件参数。以此为基础,独立设计、制作了AC耦合硅微条探测器的光刻掩膜版图和引出PCB版。经过工艺流片和封装,得到了AC耦合硅微条探测器的样品,并利用放射源239u对AC耦合硅微条探测器样品进行了了一系列的性能测试,包括漏电流、全耗尽电压、C-V特性、能谱测试等。测试结果表明,自行研制的AC耦合硅微条探测器性能优越,漏电流非常小,约5n s trip,全耗尽电压为42V,在全耗尽电压下对239u衰变的α粒子的能量分辨率为0588%,可满足核物理与高能物理实验的要求。 最后,用SRIM和自行编写的Matlab程序计算了入射粒子对硅探测器的非电离能量损失,对硅微条探测器的辐射损伤和工作寿命进行了评估。计算结果表明:重离子更容易引起硅探测器的辐射损伤,探测器可承受的最大辐射通量为Φ_(proton)≈1×10~(14)m~(-2),Φ_α≈1×10~(13)m~(-2_,Φ_c≈5×10~(11)m~(-2),Φ_(Bi)≈4×10~8m~2。
【学位授予单位】:中国科学院研究生院(近代物理研究所)
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2014
【分类号】:TL814

【参考文献】

相关期刊论文 前7条

1 陈世彬,张义门,陈雨生,黄流兴,张玉明;1MeV中子在Si和SiO_2中非电离能量损失和电离能量损失的蒙特卡罗计算[J];辐射防护;2001年01期

2 李阳平,刘正堂,耿东生;靶材溅射及溅射原子输运的计算机模拟[J];功能材料;2003年05期

3 陈世彬,陈雨生,黄流兴,张义门;~(60)Co和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算[J];光子学报;2000年05期

4 陈世彬,张义门,陈雨生,黄流兴,张玉明;质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算[J];高能物理与核物理;2001年04期

5 罗文芸;王朝壮;贺新福;樊胜;黄小龙;王传珊;;中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究[J];高能物理与核物理;2006年11期

6 于新;何承发;郭旗;张兴尧;吴雪;张乐情;卢建;胥佳灵;胡天乐;;半导体材料电子非电离能损的分析法计算[J];核电子学与探测技术;2012年07期

7 唐欣欣;罗文芸;王朝壮;贺新福;查元梓;樊胜;黄小龙;王传珊;;低能质子在半导体材料Si和GaAs中的非电离能损研究[J];物理学报;2008年02期



本文编号:2687284

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/projectlw/hkxlw/2687284.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户5df53***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com