新型有机小分子与聚合物半导体材料的合成及其场效应晶体管性能研究
发布时间：2021-07-31 04:39
场效应晶体管是电子产品中最基础,也是应用最广泛的元器件。其中,有机场效应晶体管因其体积小、重量轻、制备成本低、易于微/纳集成等诸多优点而引起人们的研究关注并取得了很大进展,但是对于真正实现其产业化和商业化还有一定的距离。本文从有机场效应晶体管中最重要的组成部分之一-有机半导体材料入手,设计、合成新型的有机小分子和聚合物半导体材料,从其理化性质与场效应晶体管器件制备及性能测试等方面展开研究工作,主要研究内容如下:1、设计、合成了H型二维稠环化合物ATBF,利用循环伏安法、紫外-可见吸收光谱、紫外光电子能谱、热重分析对其电化学、光物理和热学性能进行了表征。利用物理气相传输法培养了ATBF大晶体和微/纳尺寸的小晶体,并用X-射线衍射对单晶结构进行了解析。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜及透射电镜等对其微/纳尺寸单晶进行了表征。采用底栅顶接触构型制备了基于ATBF的微/纳尺寸单晶的单晶场效应晶体管器件,并研究了其电学特性,最高单晶迁移率达到0.78 cm2V-1s-1。最后与同系列的化合物ATBT进行比较发现在该系列化合物中S…...
【文章来源】：杭州师范大学浙江省
【文章页数】：154 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
有机场效应晶体管结构示意图
杭州师范大学硕士学位论文绪论4图1-2有机场效应晶体管工作示意图（W代表沟道宽度，L代表沟道长度）用来评价有机场效应晶体管器件性能的基本参数主要是：迁移率（μ）、阈值电压（VT）和开关比（Ion/Ioff）。这些性能参数在测试场效应晶体管转移特性曲线（IDS-VG）和输出特性曲线（IDS-VDS）时可以获得。如图1-3所示为典型的有机场效应晶体管的转移曲线（左）和输出曲线（右），在施加不同的栅压时源-漏电流随源-漏电压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的转移特性曲线，而在施加不同的源-漏电压时源-漏电流随栅压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的输出特性曲线。图1-3有机场效应晶体管典型的转移曲线（左）和输出曲线（右）[8]迁移率是（μ）指的是在单位电场强度下所产生的载流子的平均漂移速度，也就是施加外场电压时，载流子运动速度的快慢的一个量度，载流子移动的越快，迁移率就会越大，相反运动的慢，迁移率就校迁移率是衡量器件性能最关键的指标之一，迁移率越大表明该器件的性能越优异，它代表了该器件中载流子导电
杭州师范大学硕士学位论文绪论4图1-2有机场效应晶体管工作示意图（W代表沟道宽度，L代表沟道长度）用来评价有机场效应晶体管器件性能的基本参数主要是：迁移率（μ）、阈值电压（VT）和开关比（Ion/Ioff）。这些性能参数在测试场效应晶体管转移特性曲线（IDS-VG）和输出特性曲线（IDS-VDS）时可以获得。如图1-3所示为典型的有机场效应晶体管的转移曲线（左）和输出曲线（右），在施加不同的栅压时源-漏电流随源-漏电压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的转移特性曲线，而在施加不同的源-漏电压时源-漏电流随栅压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的输出特性曲线。图1-3有机场效应晶体管典型的转移曲线（左）和输出曲线（右）[8]迁移率是（μ）指的是在单位电场强度下所产生的载流子的平均漂移速度，也就是施加外场电压时，载流子运动速度的快慢的一个量度，载流子移动的越快，迁移率就会越大，相反运动的慢，迁移率就校迁移率是衡量器件性能最关键的指标之一，迁移率越大表明该器件的性能越优异，它代表了该器件中载流子导电
本文编号：3312784
【文章来源】：杭州师范大学浙江省
【文章页数】：154 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
有机场效应晶体管结构示意图
杭州师范大学硕士学位论文绪论4图1-2有机场效应晶体管工作示意图（W代表沟道宽度，L代表沟道长度）用来评价有机场效应晶体管器件性能的基本参数主要是：迁移率（μ）、阈值电压（VT）和开关比（Ion/Ioff）。这些性能参数在测试场效应晶体管转移特性曲线（IDS-VG）和输出特性曲线（IDS-VDS）时可以获得。如图1-3所示为典型的有机场效应晶体管的转移曲线（左）和输出曲线（右），在施加不同的栅压时源-漏电流随源-漏电压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的转移特性曲线，而在施加不同的源-漏电压时源-漏电流随栅压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的输出特性曲线。图1-3有机场效应晶体管典型的转移曲线（左）和输出曲线（右）[8]迁移率是（μ）指的是在单位电场强度下所产生的载流子的平均漂移速度，也就是施加外场电压时，载流子运动速度的快慢的一个量度，载流子移动的越快，迁移率就会越大，相反运动的慢，迁移率就校迁移率是衡量器件性能最关键的指标之一，迁移率越大表明该器件的性能越优异，它代表了该器件中载流子导电
杭州师范大学硕士学位论文绪论4图1-2有机场效应晶体管工作示意图（W代表沟道宽度，L代表沟道长度）用来评价有机场效应晶体管器件性能的基本参数主要是：迁移率（μ）、阈值电压（VT）和开关比（Ion/Ioff）。这些性能参数在测试场效应晶体管转移特性曲线（IDS-VG）和输出特性曲线（IDS-VDS）时可以获得。如图1-3所示为典型的有机场效应晶体管的转移曲线（左）和输出曲线（右），在施加不同的栅压时源-漏电流随源-漏电压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的转移特性曲线，而在施加不同的源-漏电压时源-漏电流随栅压的变化而变化的曲线为有机场效应晶体管的输出特性曲线。图1-3有机场效应晶体管典型的转移曲线（左）和输出曲线（右）[8]迁移率是（μ）指的是在单位电场强度下所产生的载流子的平均漂移速度，也就是施加外场电压时，载流子运动速度的快慢的一个量度，载流子移动的越快，迁移率就会越大，相反运动的慢，迁移率就校迁移率是衡量器件性能最关键的指标之一，迁移率越大表明该器件的性能越优异，它代表了该器件中载流子导电
本文编号：3312784
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